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歐盟或?qū)⒓铀俳ㄖ惭b光伏 IGBT產(chǎn)業(yè)鏈有望受益

  •   獲悉,歐盟的REPowerEU計劃草案提出,2022年屋頂光伏發(fā)電量增加15TWh。該草案還要求歐盟和各國政府今年采取行動,將屋頂光伏裝置的安裝申請許可時間縮短至三個月,并提出“到2025年,所有新建筑以及能耗等級D或以上的現(xiàn)有建筑,都應(yīng)安裝屋頂光伏設(shè)備”。該計劃有望利好IGBT等逆變器產(chǎn)業(yè)鏈公司?! ?jù)悉,REPowerEU計劃是歐盟在今年3月8日提出的,價值高達(dá)1950億歐元,旨在讓成員國家在2030年之前逐步消除對俄羅斯化石燃料的依賴,其中近三分之二的削減可在今年(2022年)底前實(shí)現(xiàn),結(jié)束歐盟
  • 關(guān)鍵字: IGBT  

Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV,為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強(qiáng)大動力

  • 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊,其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車(包括巴士和卡車)以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強(qiáng)型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證,可實(shí)現(xiàn)AS
  • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅(qū)動器  SCALE EV  PI  

基于單脈沖試驗的IGBT模型的電壓應(yīng)力測試分析

  • IGBT作為功率設(shè)備的核心器件,在電力電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了進(jìn)一步了解電壓應(yīng)力對IGBT模塊的影響,本文搭建了實(shí)驗樣機(jī)(選用3代IGBT采用T型三電平拓?fù)?,額定輸出線電壓315 V,電流230 A,設(shè)計輸入電壓范圍500~1 000 V),通過單脈沖試驗對不同廠家不同型號的IGBT進(jìn)行電壓應(yīng)力分析并給出解決方案的可行性。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  單脈沖  電壓應(yīng)力  202203  

子單元長期存放對焊接質(zhì)量的影響*

  • 長期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn),IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大,本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進(jìn)行封裝,通過實(shí)驗對比兩批產(chǎn)品的空洞率,結(jié)果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小,從而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  

環(huán)旭電子預(yù)計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
  • 關(guān)鍵字: 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

環(huán)旭電子預(yù)計2022量產(chǎn)電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Power Integrations推出適用于“新型雙通道”模塊的SCALE-iFlex Single即插即用型門極驅(qū)動器

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作,經(jīng)過大量失效主板分析確認(rèn)是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效,本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析,對IGBT失效原因及失效機(jī)理分析,分析結(jié)果表明:經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?,IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關(guān)鍵字: 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應(yīng)  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案,取代硅IGBT,現(xiàn)已提供1700V版本

  • 如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率,之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外,電力電
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  MCU  IGBT  

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設(shè)備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,但出于設(shè)計周期的考量,它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
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在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢

  • 摘要隨著汽車電動化推進(jìn),智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾,越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn),證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢,例如,將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例,并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進(jìn),智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及,智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

  • 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管),但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制,或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值,達(dá)到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片,NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異,用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當(dāng),可確保模塊正確降額,并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn),采用模擬電路仿真的方法說明功率模
  • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

集中供電電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)*

  • 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性,能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計主電電路,以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī),使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無縫切換,使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理,最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗證。驗證結(jié)果表明:設(shè)計的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高,且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能,滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
  • 關(guān)鍵字: 集中供電電源  半橋拓?fù)?/a>  充電管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT

  • 2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片,樹立了國內(nèi)車規(guī)級中高端IGBT芯片標(biāo)桿。歷時兩年積累沉淀,比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè),隨著西安研發(fā)中心大樓的落成,也標(biāo)志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線,但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術(shù)團(tuán)隊等資源。當(dāng)時長三角地區(qū)是中國半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時這些資
  • 關(guān)鍵字: 比亞迪  IGBT  

為何智能功率模塊會盛行,ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

  • 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前,世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體,我國也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo),這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因為隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及,產(chǎn)品需要有更長的待機(jī)時間;由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富,也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升,因此,近年來IPM(智能功率器件)開始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例,全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
  • 關(guān)鍵字: IPM  IGBT  
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