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安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺,性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場

—— 全新1200 V器件提供領(lǐng)先市場的導(dǎo)通和開關(guān)性能
作者: 時間:2023-03-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

2023 年 3 月 21日領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉(zhuǎn)換。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202303/444704.htm

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新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗可實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對于高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,FS7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實現(xiàn)并聯(lián)運行。

 

高級副總裁兼電源方案部先進電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani:“由于能效在所有高開關(guān)頻率的能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中極為關(guān)鍵,所以我們專注于降低關(guān)斷損耗,這新系列的IGBT提供極佳的開關(guān)性能,其業(yè)界領(lǐng)先的性能使設(shè)計人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中滿足最具挑戰(zhàn)的能效要求。

 

FS7器件包括高速(S系列)和中速(R系列)版本。所有器件都含一個優(yōu)化的二極管,實現(xiàn)低VF,減少開關(guān)損耗,可在高達175結(jié)溫(TJ)下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關(guān)性能領(lǐng)先市場現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測試,這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導(dǎo)通損耗為主的中速開關(guān)應(yīng)用如電機控制和固態(tài)繼電器進行了優(yōu)化。 FGY100T120RWD100 AVCESAT低至1.45V,比前一代器件降低了0.4V。

 

FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝,也可提供裸片,為設(shè)計人員提供靈活性和設(shè)計備選配置。



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