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旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

作者: 時間:2009-09-01 來源:新浪科技 收藏

  據(jù)臺灣媒體報道,臺灣計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸廠,此舉將導致茂德、力晶等內(nèi)存公司向賣廠求現(xiàn)的美夢破碎,恐促使(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/97657.htm

  是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存廠,積極擴廠后,更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。

  旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃,已向臺灣當局遞交文件,申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工,2011年初投產(chǎn),兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片,并導入以下最新技術(shù)。

  為配合旺宏建廠計劃,臺灣當局已決定收回茂德、力晶的34公頃土地,提撥其中10公頃給旺宏。這是繼友達旗下隆達、聯(lián)電旗下聯(lián)相、輔佳后,近期第四家進駐后里園區(qū)投資的科技大廠。

  旺宏高層昨日表示,公司確實要興建12吋晶圓產(chǎn)能,但方式有自建、外包或購廠等。至于申請的土地,是為避免若要自建時,面臨無地可建的窘境,但建廠不一定是最終的決定。

  旺宏是全球最大罩幕式只讀內(nèi)存(ROM)與臺灣最大編碼型快閃內(nèi)存(NOR Flash)芯片廠,其重新啟動12寸芯片建廠,更有擴大勢力版圖,痛擊全球NOR Flash龍頭飛索有意申請解除破產(chǎn)保護尋求復活的機會,也將牽動全球NOR Flash產(chǎn)業(yè)變化。



關(guān)鍵詞: 旺宏 DRAM 60納米 芯片

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