獲高通及聯發(fā)科訂單 聯電28nm向前沖
晶圓代工二哥聯電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破,順利拿下高通及聯發(fā)科訂單,將成下半年成長主要動能。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/248306.htm為了拉近與龍頭臺積電間的差距,聯電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產,10納米世代將加入由IBM主導的通用平臺(CommonPlatform)聯盟,與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。
聯電昨(11)日召開股東常會,通過配發(fā)0.5元現金股利及私募案,董事長洪嘉聰除了強調私募案絕對不會折價發(fā)行的立場,也表示28納米多晶矽氮氧化矽(PolySiON)及HKMG制程良率顯著提升,且在14納米以下制程開發(fā)上,聯電延續(xù)2012年與IBM簽訂的授權協議,在10納米世代加入IBM技術開發(fā)聯盟。
聯電5月營收達119.3億元改寫歷史新高,財務長劉啟東表示,第2季產能利用率逼近9成,8寸廠產能全線滿載,其中LCD驅動IC產能更是供不應求。聯電臺灣地區(qū)8寸廠擴產空間有限,蘇州和艦則將在本季將月產能由4.4萬片提升到4.8~5萬片,也不排除透過并購方式擴產,至于第3季營運表現看來將會比第2季更好。
法人預估,聯電第2季營收季增率將介于12~14%間,毛利率25%目標也會達陣,以此推估,聯電第2季獲利將有機會上看37~40億元,較第1季成長超過2倍,每股凈利將賺逾0.3元。
聯電今年第2季移動裝置芯片接單強勁,40納米接單全滿,28納米HKMG制程因良率上有明顯突破,也傳出獲得高通、聯發(fā)科等手機芯片代工訂單。而聯電不評論接單情況,但劉啟東表示,28納米第2季營收占比將達1%,第4季會達5%,HKMG制程接單將成主流。
臺積電今年全力沖刺20納米產能,明年則轉進16納米FinFET制程世代。聯電因為28納米明顯落后,所以決定跳過20納米,直接轉進與IBM合作的14納米FinFET制程,預估明年上半年開始試產。同時,聯電南科12寸廠Fab12A的第5期將在明年下半年開出產能。
聯電也決定在10納米世代加入IBM主導的通用平臺,將與IBM、三星,以及格羅方德共同研發(fā)10納米技術,以縮減與臺積電間的技術差距。
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