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李在镕:三星計劃利用全球首個3納米工藝制造芯片

作者: 時間:2020-01-06 來源:新浪科技 收藏

據(jù)悉,電子事實上的領(lǐng)導人(Lee Jae-yong)討論了利用全球首個工藝制造芯片的戰(zhàn)略計劃。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202001/408911.htm

該報道稱,當日參觀了電子位于京畿道華城(Hwaseong)的半導體研發(fā)中心。這也是在2020年的首個官方行程,期間,他聽取三星電子制程技術(shù)報告,并與半導體部門主管討論了新一代半導體戰(zhàn)略。

據(jù)三星電子稱,李在镕討論了三星計劃采用正在研發(fā)中的最新全柵極(GAA)工藝技術(shù)來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術(shù)的升級版,能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

去年4月,三星電子完成了基于極端紫外線技術(shù)(EUV)的5納米FinFET工藝技術(shù)的研發(fā)。如今,該公司正在研究下一代納米工藝技術(shù)(即3納米GAA)。三星電子表示,與5納米制造工藝相比,3納米GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。

對于李在镕此次參觀半導體研發(fā)中心,三星發(fā)言人稱:“李在镕今日訪問半導體研發(fā)中心,再次凸顯三星承諾成長為“非內(nèi)存芯片”市場頂級制造商的決心?!碑斍?,三星已是全球最大的內(nèi)存芯片制造商。

去年,三星宣布了一項高達133萬億韓元(約合1118.5億美元)的投資計劃,目標是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級芯片”( SoC)制造商。 



關(guān)鍵詞: 三星 3納米 李在镕

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