據(jù)悉，三星電子事實上的領(lǐng)導人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計劃。

該報道稱，李在镕當日參觀了三星電子位于京畿道華城（Hwaseong）的半導體研發(fā)中心。這也是李在镕在2020年的首個官方行程，期間，他聽取三星電子3納米制程技術(shù)報告，并與半導體部門主管討論了新一代半導體戰(zhàn)略。

據(jù)三星電子稱，李在镕討論了三星計劃采用正在研發(fā)中的最新3納米全柵極（GAA）工藝技術(shù)來制造尖端芯片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術(shù)的升級版，能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

去年4月，三星電子完成了基于極端紫外線技術(shù)（EUV）的5納米FinFET工藝技術(shù)的研發(fā)。如今，該公司正在研究下一代納米工藝技術(shù)（即3納米GAA）。三星電子表示，與5納米制造工藝相比，3納米GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

對于李在镕此次參觀半導體研發(fā)中心，三星發(fā)言人稱：“李在镕今日訪問半導體研發(fā)中心，再次凸顯三星承諾成長為“非內(nèi)存芯片”市場頂級制造商的決心?！碑斍?，三星已是全球最大的內(nèi)存芯片制造商。

去年，三星宣布了一項高達133萬億韓元（約合1118.5億美元）的投資計劃，目標是到2030年成為全球最大的“系統(tǒng)級芯片”（ SoC）制造商。