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臺積電殺進(jìn)3納米 決戰(zhàn)三星

作者: 時間:2019-11-01 來源:中時電子報 收藏

在7納米、5納米制程完封后,目前更加快研發(fā),以延續(xù)領(lǐng)先地位,不讓對手有先縫插針搶單的機會,據(jù)電子時報報導(dǎo),傳出提前啟動,位于南科30公頃用地,可望提前4個月、預(yù)計于今年底即可完成交地,擺明就是沖著而來。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201911/406569.htm

報導(dǎo)指出,相較于三星陷入7納米EUV制程良率困境,7納米以下制程持續(xù)推進(jìn),幾乎吃下所有芯片大廠訂單,而5納米預(yù)計明年第2季量產(chǎn),目前傳出蘋果、華為和高通將搶下首波產(chǎn)能。

三星7月底曾宣布將在制程推出全新“環(huán)繞柵極”(Gate-All-Around,GAA)技術(shù),號稱超前臺積電1年,更贏過英特爾2~3年。

三星推出全新GAA技術(shù)的3納米制程跟當(dāng)前7納米相較,可使耗能降低50%,芯片面積縮減45%,效能提高35%,預(yù)計2021年正式量產(chǎn);而臺積電也持續(xù)加快3納米技術(shù)研發(fā),預(yù)計2021年進(jìn)行試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),至于3納米技術(shù)細(xì)節(jié)并未披露。 



關(guān)鍵詞: 臺積電 3納米 三星

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