全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。

　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。

　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈米邏輯制程以及晶圓代工會是推動2016年與2017年晶圓廠設備支出的主力。SEMI列出了19個有六成以上可能性會按照時程進行的晶圓廠興建案，其中有部分已經(jīng)開始興建，其他則可能會延遲或是推至接下來幾年。

　　不過在SEMI負責追蹤晶圓廠建設的分析師Christian Dieseldorff接受EE Times訪問時表示，以歷史紀錄來看，在2016年與2017年有19座晶圓廠開始興建，數(shù)量其實偏低：“我們會看到越來越少新晶圓廠，這是因為有更多廠商是會升級或改建現(xiàn)有的廠房。”

　　以晶圓尺寸來看，那19座晶圓廠(生產線)中有12座是12寸(300mm)、4座是8寸(200mm)，還有3座是LED廠，分別是6寸(150mm)、4寸(100mm)與2寸(50mm)。不包括LED廠在內，新晶圓廠(生產線)的安裝產能，估計在2016年開始興建的可達到每月12萬片初始晶圓(12寸約當)，2017年開始興建的則可達到每月33萬片初始晶圓(12寸約當)。

　　下表是SEMI列出的所有2016與2017年新晶圓廠(依尺寸)興建計畫──包括尚未動工以及進行中的;估計總支出金額達到139億美元。