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中國成為全球新建晶圓廠主要推手

作者: 時間:2016-06-21 來源:eettaiwan 收藏

  全球在2016年與2017年將開始興建的廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201606/292871.htm

  根據(jù)SEMI的統(tǒng)計,全球在2016年與2017年將開始興建的廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長13%、達到407億美元。

  

 

  包括全新、二手與專屬(in-house)廠設備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預期,3D 快閃記憶體、10奈米邏輯制程以及晶圓代工會是推動2016年與2017年晶圓廠設備支出的主力。SEMI列出了19個有六成以上可能性會按照時程進行的晶圓廠興建案,其中有部分已經(jīng)開始興建,其他則可能會延遲或是推至接下來幾年。

  不過在SEMI負責追蹤晶圓廠建設的分析師Christian Dieseldorff接受EE Times訪問時表示,以歷史紀錄來看,在2016年與2017年有19座晶圓廠開始興建,數(shù)量其實偏低:“我們會看到越來越少新晶圓廠,這是因為有更多廠商是會升級或改建現(xiàn)有的廠房。”

  以晶圓尺寸來看,那19座晶圓廠(生產線)中有12座是12寸(300mm)、4座是8寸(200mm),還有3座是LED廠,分別是6寸(150mm)、4寸(100mm)與2寸(50mm)。不包括LED廠在內,新晶圓廠(生產線)的安裝產能,估計在2016年開始興建的可達到每月12萬片初始晶圓(12寸約當),2017年開始興建的則可達到每月33萬片初始晶圓(12寸約當)。

  下表是SEMI列出的所有2016與2017年新晶圓廠(依尺寸)興建計畫──包括尚未動工以及進行中的;估計總支出金額達到139億美元。

  



關鍵詞: 晶圓 NAND

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