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臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

作者: 時間:2016-06-21 來源:技術(shù)在線 收藏

  臺灣(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成層的“硅基氮化鎵”( on Si)技術(shù)生產(chǎn)晶體管。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201606/292870.htm

  打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型:(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。

  其中,耐壓650V的常關(guān)型HEMT已開始受托生產(chǎn)。在演講中介紹了該元件的特性。在運行時導通電阻會升高的崩潰(Collapse)特性方面,僅為運行前電阻值的1.3~1.4倍。

  此外,關(guān)于常關(guān)型HEMT,臺積電將于2016年6月開始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品。關(guān)于常開型HEMT,該公司預定從2016年9月開始受托生產(chǎn)耐壓100V的產(chǎn)品。常開型MISFET方面,預定從2016年6月開始受托生產(chǎn)耐壓650V的產(chǎn)品和耐壓100V的產(chǎn)品。

  目前臺積電設(shè)想使用直徑150mm的硅基板,將來還打算使用更大尺寸的基板。該公司的演講者表示,“具體情況不便透露,3年后也許可以使用200mm(8英寸)基板”。



關(guān)鍵詞: 臺積電 GaN

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