三星開發(fā)出新一代高速內(nèi)存芯片
—— 能耗降低一半,速度提高一倍
加入技術(shù)交流群
三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/116014.htm三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。
目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流產(chǎn)品是DDR3內(nèi)存模塊，其性能比DDR2產(chǎn)品有所提高。三星電子稱，它是DRAM內(nèi)存行業(yè)第一個(gè)開發(fā)出DDR4內(nèi)存芯片的廠商。
三星電子補(bǔ)充說(shuō)，這種新的內(nèi)存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內(nèi)存芯片相比，DDR4內(nèi)存芯片的耗電量是1.2伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內(nèi)存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒1.6GB。
評(píng)論