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三星開發(fā)出新一代高速內(nèi)存芯片

—— 能耗降低一半,速度提高一倍
作者: 時(shí)間:2011-01-06 來(lái)源:賽迪網(wǎng) 收藏

  電子星期二稱,它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊,讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/116014.htm

  電子在聲明中稱,它將在2012年開始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的 DRAM內(nèi)存模塊。

  目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流產(chǎn)品是DDR3內(nèi)存模塊,其性能比DDR2產(chǎn)品有所提高。電子稱,它是DRAM內(nèi)存行業(yè)第一個(gè)開發(fā)出內(nèi)存芯片的廠商。

  三星電子補(bǔ)充說(shuō),這種新的內(nèi)存芯片還將把電源消耗減少一半。與DDR3內(nèi)存芯片相比,內(nèi)存芯片的耗電量是1.2伏,數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.133GB。而DDR內(nèi)存芯片的耗電量是1.35伏或者1.5伏,數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒1.6GB。



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