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三星宣布開始量產30nm制程2Gb密度DDR3內存芯片

作者: 時間:2010-07-22 來源:CnBeta 收藏

  今年早些時候,公司曾宣布完成了制程2Gb密度 內存芯片的開發(fā)工作,而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 制程芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下,加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz,適用于 臺式機,筆記本,服務器,上網本,移動設備的各種應用。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/111096.htm

  表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的制程內存芯片產品,預計這款產品今年才會投入使用。



關鍵詞: 三星 30nm DDR3

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