今年早些時候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開發(fā)工作,而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下,加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz,適用于 臺式機,筆記本,服務器,上網本,移動設備的各種應用。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/111096.htm
三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產品,預計這款產品今年才會投入使用。
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