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三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能

作者: 時(shí)間:2010-05-04 來源:tcmagazine 收藏

  頂級(jí)內(nèi)存/閃存芯片廠商公司近日宣布由于Intel至強(qiáng)5600系列新處理器的出爐,刺激服務(wù)器廠商對內(nèi)存的需求量大增,因此公司將增加 制程的產(chǎn)能。表示其制程產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右,目前其制程 DDR3產(chǎn)品的型號(hào)主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/108586.htm

  半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示:“當(dāng)與至強(qiáng)5600系列處理器以及5500/5700平臺(tái)配合使用時(shí),DDR3內(nèi)存能顯著改善系統(tǒng)的內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸效率,同時(shí)功耗水平也大有下降,非常適合各類企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。而我們的低功耗DDR3內(nèi)存解決方案則將在新一代綠色服務(wù)器設(shè)計(jì)中扮演至關(guān)重要的角色。”

  三星自從2009年春季便已經(jīng)開始了40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。



關(guān)鍵詞: 三星 內(nèi)存芯片 40nm DDR3

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