作者：頑皮的小鯨

發(fā)自：芯片廠

阿斯麥最新最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)來了！

這款光刻機(jī)將制造工藝推向了2nm以下，價(jià)格更是達(dá)到了驚人的3.5億歐元，約合人民幣27億元。

與上一代相比，價(jià)格直接翻倍，這也難怪連臺(tái)積電都嫌貴。

不過，放眼全球，除了阿斯麥以外，沒有其他能打的選手。

因此，盡管臺(tái)積電發(fā)發(fā)牢騷，但該買還是要買。

畢竟，他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾可是一口氣定了好多臺(tái)。

阿斯麥最新光刻機(jī)

眾所皆知，阿斯麥作為全球光刻機(jī)巨頭，在半導(dǎo)體行業(yè)完全壟斷了上游產(chǎn)業(yè)，尤其在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域，更是獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。

如果說，光刻機(jī)是人類半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠，那么阿斯麥就相當(dāng)于握著最亮明珠的那個(gè)廠商。

為了將制程工藝進(jìn)一步的壓榨到極限，阿斯麥耗時(shí)10年之久，最終研制出來一款High NA EUV光刻機(jī)。

在2023年底，阿斯麥已經(jīng)開始向英特爾交付了首套High NA EUV光刻機(jī)，英特爾也于近期完成了組裝。

其重達(dá)150噸，相當(dāng)于兩架空客 A320 客機(jī)的重量。

光是運(yùn)輸，就需要?jiǎng)佑?50個(gè)單獨(dú)的板條箱，40個(gè)貨柜、20輛卡車以及3架波音飛機(jī)才能運(yùn)完。

相較之前版本的光刻機(jī)，High NA EUV最大的改變?cè)谟谠龃罅?/span>數(shù)值孔徑。

所謂數(shù)值孔徑NA，指的是用來衡量光學(xué)系統(tǒng)能夠收集光的角度范圍的參數(shù)。

通過增大這個(gè)值，便可以實(shí)現(xiàn)更小的分辨率和更高的分辨能力，從而滿足微細(xì)加工的要求。

據(jù)悉，High NA EUV的NA值，從之前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的0.33提升到了0.55。

這一改變，使得鏡頭的分辨率，也從之前的13納米，一下子提升到了8納米。

更高的NA值，意味著更復(fù)雜的光學(xué)路徑設(shè)計(jì)，和更大的光學(xué)元件，也就是反射鏡。

但反射鏡大了，光線入射穿透的掩膜版的尺寸也要增大。

這對(duì)于下游廠商來說，無疑會(huì)帶來更加復(fù)雜的工藝問題。

因此，專門設(shè)計(jì)EUV光刻機(jī)鏡頭的蔡司，決定另辟蹊徑。

下游廠商可以不用動(dòng)，我這邊來解決。

于是騷操作來了，蔡司提出了變形光學(xué)的設(shè)計(jì)思路，之前反射系統(tǒng)是均勻的壓縮圖案，現(xiàn)在變成了不均勻。

簡(jiǎn)單來說，一個(gè)方向縮小4倍，另一個(gè)與它垂直的方向來縮小8倍，這樣能夠在不裁切的情況下，獲得最多的細(xì)節(jié)。

聽起來好像很簡(jiǎn)單，但實(shí)現(xiàn)出來卻是非常復(fù)雜的。

不僅需要重新設(shè)計(jì)反射鏡的形狀和排列，以確保在不同方向上實(shí)現(xiàn)不同的縮放比。

這需要采用新的制造工藝和材料，以保證反射鏡保持高精度和高反射率。

另一邊，一般來說，工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm，低數(shù)值孔徑光刻機(jī)的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形技術(shù)來輔助。

然而，這不但大大增加成本，還會(huì)降低良品率。

但用了更高數(shù)值孔徑的High NA EUV光刻機(jī)，則不一樣。

雖然價(jià)格貴了不少，但可以降低多重曝光帶來的成本，生產(chǎn)效率和良品率也變得更高。

從設(shè)備生產(chǎn)效率的路線圖來看，雖然目前的生產(chǎn)速度僅每小時(shí)150片晶圓，但隨著技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化，產(chǎn)能將會(huì)提高到每小時(shí)300片晶圓。

同時(shí)，0.55NA的High NA EUV光刻機(jī)，目前支持2nm量產(chǎn)，到2029年可以支持1nm的量產(chǎn)。

如果采用多重曝光，未來5埃米（也就是0.5nm）制程的量產(chǎn)，也是沒問題的。

這些優(yōu)勢(shì)對(duì)芯片制造廠商來說，無疑是非常誘人的。

正因如此，阿斯麥?zhǔn)紫瘓?zhí)行官 Peter Wennink 在接受采訪時(shí)表示，“人工智能需要大量計(jì)算能力和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。如果沒有阿斯麥的技術(shù)，這是不可能實(shí)現(xiàn)的?！?/strong>

這番話，進(jìn)一步凸顯了High NA EUV光刻機(jī)在推動(dòng)未來科技進(jìn)步中的關(guān)鍵角色。

如果大家以為High NA EUV光刻機(jī)，應(yīng)該就是阿斯麥的壓軸菜，那還是低估了它的水平。

據(jù)悉，更厲害的Hyper-NA EUV光刻機(jī)，正在加緊研發(fā)。

根據(jù)EETimes報(bào)道，阿斯麥近期公布了還處于開發(fā)早期階段的Hyper NA EUV光刻機(jī)的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)最快將會(huì)在2030年推出。

據(jù)說，其數(shù)值孔徑（NA），從0.55進(jìn)一步提高到0.75，以便實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。

但從目前來說，阿斯麥的High NA EUV光刻機(jī)，依然是全世界最先進(jìn)的光刻機(jī)，沒有之一。

結(jié) 尾

總的來說，阿斯麥High NA EUV光刻機(jī)的問世，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代，使得2nm以下的制程工藝成為可能。

這一突破不僅大大提升了芯片的性能和集成度，也為未來的科技創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

阿斯麥能夠做到行業(yè)龍頭位置，確實(shí)十分的先進(jìn)。