5月16日消息，韓國存儲芯片大廠SK海力士在今年的IEEE IMW國際存儲研討會上，透露了HBM4E內(nèi)存開發(fā)周期已縮短到一年，也介紹更多細節(jié)。SK海力士技術人員Kim Kwi Wook表示，SK海力士正在基于第六代10nm級1c制程32Gb DRAM裸片構建HBM4E內(nèi)存。

目前三大內(nèi)存芯片廠商均尚未量產(chǎn)第六代10nm級1c制程DRAM內(nèi)存顆粒，但三星、SK海力士首批六代10nm級1c制程DRAM預定于今年量產(chǎn)。相比之下，美光要到2025年才量產(chǎn)，新DRAM內(nèi)存顆粒有望使密度和能效更改進。

據(jù)了解，SK海力士已經(jīng)量產(chǎn)的HBM3E采用的是第五代10nm級1b制程DRAM，尚未確認HBM4是否更新DRAM裸片制程。

據(jù)韓媒The Elec報導，SK海力士將HBM4量產(chǎn)時間提前到2025下半年，沿用第五代10nm級1b制程更符合研發(fā)節(jié)奏。

目前主流的HBM3E產(chǎn)品均采24Gb DRAM顆粒，HBM3E可因八層堆疊達24GB單堆疊容量，如果12層堆疊，HBM3E堆疊后容量可達36GB。將來HBM4E更新到32Gb DRAM裸片后，12層堆疊就能達48GB單顆容量，16層版更是可以達到64GB的超大容量，為AI創(chuàng)造更多的可能應用的場景。

Kim Kwi Wook預計，HBM4E內(nèi)存可較HBM4帶寬提升40%、密度提升30%，同時能效也提高30%。談到混合鍵合看法，Kim Kwi Wook認為目前仍有良率不佳問題，SK海力士下代HBM4采用混合鍵合可能性不大。

編輯：芯智訊-林子