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Vishay擴(kuò)充其應(yīng)用于宇航領(lǐng)域的薄膜表面貼裝電阻芯片家族

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其通過E/H MIL-PRF-55342認(rèn)證的薄膜表面貼裝電阻器芯片。這些芯片的外形尺寸為0505、1005、1505、0705、1206和1010，可為宇航級應(yīng)用提供“T”級可靠性。更大尺寸的產(chǎn)品也即將通過認(rèn)證。　
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提高用于高溫環(huán)境和電負(fù)載的薄膜電阻的性能

　　摘要：可提高焊點(diǎn)在高工作溫度下可靠性的無鉛合金非常適用于汽車電子或特殊應(yīng)用。薄膜電阻的端接和結(jié)構(gòu)采用了一些最新的增強(qiáng)技術(shù)，使設(shè)計者能夠使用這些大批量市場的器件，加上最新的焊錫配方，用更低的成本組裝出在惡劣環(huán)境下工作的設(shè)備。　　關(guān)鍵詞：高溫環(huán)境;電負(fù)載;薄膜電阻;Vishay 　　隨著無鉛技術(shù)的成熟，目前已經(jīng)出現(xiàn)了可以用在高達(dá)140～150℃焊點(diǎn)溫度下的高溫焊錫合金，而且不會損失可靠性。一個例子是囊括了材料供應(yīng)商、器件供應(yīng)商和汽車系統(tǒng)開發(fā)商的Innolot項目，該項目成功開發(fā)出了包含SAC合金和用
關(guān)鍵字： Vishay 薄膜電阻 201009

業(yè)界推出首款采用緊湊0805封裝的0.5W檢流電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達(dá)+170℃。　　WSLP0805的小尺寸使其能替代更大的檢流電阻，節(jié)省電路板上的空間，從而為消費(fèi)者創(chuàng)造出更小、更輕的產(chǎn)品。該電阻適用于計算機(jī)的DC-DC電源、筆記本電腦的VRM、鋰電池充電管理中的電流檢測，以及包括引擎控
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Vishay的新款長邊接頭厚膜電阻可有效提高系統(tǒng)可靠性

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列長邊接頭厚膜貼片電阻 --- RCL e3。新電阻的外形尺寸為0612和1218，功率等級高達(dá)1.0W，可耐受高溫循環(huán)。　　RCL0612 e3和RCL1218 e3通過了AEC-Q200 Rev. C認(rèn)證，其寬大的端頭實現(xiàn)了高功率耗散。在密集堆疊的PCB板上，器件的小尺寸可節(jié)約空間，實現(xiàn)更多的溫度循環(huán)，從而提高汽車電子系統(tǒng)和其他通用電子系統(tǒng)的可靠性。　　RCL e3系列的容差為1%和5%，TCR為±1
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Vishay推出小尺寸功率SMD LED器件系列

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列，該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻，可用于各種照明應(yīng)用。　　VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用高發(fā)光效率的InGan和AllnGaP硅上技術(shù)，具有8.5lm～30.6lm的光通量和2850mcd～9750mcd的發(fā)光強(qiáng)度。這些LED具有低至100k/W的極低結(jié)至環(huán)境熱阻，功率耗散高達(dá)738mW，從而使驅(qū)動電
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Vishay推出用于3D電視配套眼鏡的紅外接收器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款針對與3D電視機(jī)配套使用的LCD快門眼鏡而專門開發(fā)的紅外接收器 --- TSOP75D25和TSOP35D25，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。表面貼裝的TSOP75D25和TSOP35D25紅外接收器可以裝進(jìn)主動式3D眼鏡里，接收來自電視機(jī)的紅外信號，確保眼鏡的LCD快門能夠恰當(dāng)?shù)赝介_啟和關(guān)閉，從而產(chǎn)生3D效果。　　接收器的載波頻率設(shè)定為25kHz，這個頻率比標(biāo)準(zhǔn)的遙控系統(tǒng)要低，有助于規(guī)避來自電視和機(jī)頂盒遙控器的可能干擾。由于電
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Vishay發(fā)布用于在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首頁按照產(chǎn)品分類進(jìn)行設(shè)計和布局，使設(shè)計者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視頻。　　Vishay公司的產(chǎn)品在線視頻演示可幫助客戶了解在其應(yīng)用中使用Vishay公司技術(shù)的優(yōu)勢。根據(jù)產(chǎn)品類型，新的登錄頁面提供了多個視頻分類，包括電容器/電感器、光電子/顯示、電阻和半導(dǎo)體。　　頁面還包括Vishay公司的“Su
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Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出滿足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴(kuò)充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。　　新電容器提供最嚴(yán)格的回流焊曲線，具有從10mmx10mm到更大的18mmx18mm的7種外形尺寸。今天發(fā)布的140 CRH器件的高溫性能達(dá)+125℃，150 CRZ電容器具有超低的“Z”阻抗，或是在100kHz下提供0.035&
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Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝，光探測器可檢測到可見光和近紅外輻射，采用2.3mmx2.3mmx2.8mm的緊湊占位。　　今天發(fā)布的器件針對儀表、汽車和打印機(jī)應(yīng)用中的光幕、微型開關(guān)、編碼器和光遮擋器進(jìn)行了優(yōu)化，探測器可在接近探測應(yīng)用中探測可見光和紅外發(fā)射源。
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Vishay推出具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首類具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　數(shù)十年來，50V電壓成了固鉭貼片電容器中額定電壓的極限。2008年，Vishay引入63V電壓等級，打破了這個性能障礙?，F(xiàn)在，Vishay在這個專利技術(shù)基礎(chǔ)上更進(jìn)一步，發(fā)布了業(yè)界首款75V固鉭貼片電容器。　　憑借在“R
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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　　這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下，該器件的典型導(dǎo)通電
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測量高頻開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器中熱應(yīng)力器件功率耗散的新方法

　　引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率 (1) 　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 (2) 　　但是對于每個元器件做為一個單獨(dú)熱源在損耗中所占的比重，這樣的結(jié)果沒有提供任何信息。我們的方法學(xué)能夠解決這個問題，從而讓設(shè)計者能夠更好地選擇針對其應(yīng)用的最佳DC-DC實現(xiàn)方案。　　降壓轉(zhuǎn)換器的實例　　降壓轉(zhuǎn)換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器
關(guān)鍵字： Vishay 測試測量轉(zhuǎn)換器

Vishay推出三款業(yè)界最佳的中距離紅外傳感器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用3種封裝類型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038，充實了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.85mA的低電流，這些業(yè)界最佳探測器用在斷續(xù)器時的探測距離是30米，用于反射傳感器時的探測距離為3米。　　一些物體探測傳感器可根據(jù)環(huán)境光的亮度和環(huán)境中的光噪聲，調(diào)整探測閾值。為避免存在噪聲時出現(xiàn)誤探測，放大器的增益會自動調(diào)整到可影響傳感器響應(yīng)特
關(guān)鍵字： Vishay 紅外傳感器 TSOP4038 TSOP58038 TSOP5038

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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國財富雜志評為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]