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Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出內(nèi)置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應(yīng)用中為短路故障提供非常高級(jí)別的保護(hù)。　　TF3系列器件具有一個(gè)內(nèi)部的電子式熔斷裝置，在+25℃、最小5A電流條件下，熔斷裝置可以0.1秒的時(shí)間內(nèi)起作用。在因電流過(guò)大引發(fā)故障的情況下，可以防止對(duì)電路元器件造成損傷。　　這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
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Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay推出ESD級(jí)別高達(dá)2kV的車用精密薄膜電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證、ESD級(jí)別高達(dá)2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標(biāo)準(zhǔn)TCR低至±25ppm/℃，經(jīng)過(guò)激光微調(diào)后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對(duì)溫度、濕度提出的新需求，同時(shí)具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。　　由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜，在+70℃下經(jīng)過(guò)10,000小時(shí)后的性能特性為1000ppm。器件針對(duì)混合動(dòng)力/電控
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Vishay的接線柱功率鋁電容器新增三種外形尺寸

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長(zhǎng)度為13mm。　　101/102 PHR-ST 器件現(xiàn)在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸，圓柱形的鋁外殼與圓盤里的藍(lán)色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實(shí)現(xiàn)了從1F、25V至10,000F、45
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Vishay推出TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達(dá)2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器。　　今天發(fā)布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。　　由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優(yōu)異的雪崩容量
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Vishay發(fā)布大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網(wǎng)站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產(chǎn)品演示，幫助客戶了解在應(yīng)用中使用這種電感器的好處。　　視頻演示顯示，當(dāng)電流增大時(shí)，采用其他技術(shù)的電感器會(huì)硬飽和，導(dǎo)致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。　　Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰，而不會(huì)出現(xiàn)硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測(cè)試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。　　為盡可能
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Vishay推出超小型雙向?qū)ΨQ單線ESD保護(hù)二極管

　　日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向?qū)ΨQ(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護(hù)便攜式電子設(shè)備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。　　VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器和手機(jī)等設(shè)備中進(jìn)行有源ESD保護(hù)時(shí)，只需要很小的電路板空間。　　
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Vishay推出Bulk Metal箔電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(nèi)(未受潮)的工廠壽命穩(wěn)定率可達(dá)2ppm(±0.0002%)，上升時(shí)間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導(dǎo)通電阻分別
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Vishay推出采用PowerBridge封裝的整流器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強(qiáng)型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達(dá)30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強(qiáng)度高達(dá)1500V。該系列45A器件是業(yè)界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產(chǎn)品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。　　與市場(chǎng)上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進(jìn)的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)使熱量能更有效地散發(fā)出去。因此，PowerBrid
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Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設(shè)計(jì)者可以對(duì)器件性能進(jìn)行高度精確的計(jì)算機(jī)仿真。　　PSC電感器是針對(duì)需要線焊器件的RF電路而設(shè)計(jì)的，包括在通信系統(tǒng)及測(cè)試測(cè)量?jī)x器中的阻抗調(diào)諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。　　螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
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Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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Vishay擴(kuò)展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)大了符合美軍標(biāo)MIL-PRF-55342認(rèn)證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強(qiáng)型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強(qiáng)后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差為1.0%。　　增強(qiáng)型E/H貼片電阻適用于對(duì)性能有嚴(yán)格要求的高可靠性軍
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Vishay推出1500W表面貼裝瞬間電壓抑制器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的擊穿電壓和10.0V～58.1V的優(yōu)異鉗位能力。　　今天發(fā)布的TVS器件采用eSMP TO-277A封裝，比傳統(tǒng)SMC封裝的占位面積小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌電流高達(dá)200A，工作溫度為-55℃～+105℃。　　TVS器件可用來(lái)保護(hù)通信和普通應(yīng)用中的敏感設(shè)備，
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]