vishay 文章進(jìn)入vishay技術(shù)社區(qū)

Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升級(jí)紅外遙控應(yīng)用的VSOP383xx系列前置放大電路

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升級(jí)消費(fèi)品中紅外（IR）遙控應(yīng)用的VSOP383xx系列前置放大電路。這些增強(qiáng)型解決方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN封裝，以即插即用方式替代該系列中現(xiàn)有的器件，同時(shí)提供2.0 V至5.5 V的更寬電源電壓范圍，高37 %的黑暗環(huán)境靈敏度，以及在強(qiáng)DC光和Wi-Fi噪聲下的更優(yōu)性能。Vishay VSOP383xx系列前置放大器電路采用緊湊型封裝，在更寬的電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)低功
關(guān)鍵字： Vishay Cyllene 2 紅外遙控前置放大電路

Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用效率

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導(dǎo)體器件旨在為高頻應(yīng)用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們?cè)陔娙蓦姾桑≦c）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡。日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯(lián)雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導(dǎo)通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相
關(guān)鍵字： Vishay SiC肖特基二極管

Vishay最新推出可滿足嚴(yán)苛要求的高精度60mm感應(yīng)式位置傳感器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款適用于工業(yè)等應(yīng)用于嚴(yán)苛要求的基于感應(yīng)技術(shù)的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術(shù)的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對(duì)值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉(zhuǎn)速更高，達(dá)10000 rpm，而且延遲時(shí)間更短至≤ 5 μs。此外，器件對(duì)磁環(huán)境不敏感，因此可以在靠近電機(jī)的地方使用。日前發(fā)布的位置傳感器非常適合機(jī)器人、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他要求精確定位的工業(yè)應(yīng)用，包括傳送帶控制和自
關(guān)鍵字： Vishay 感應(yīng)式位置傳感器位置傳感器

Vishay推出適用于惡劣環(huán)境應(yīng)用的的微型密封多匝SMD微調(diào)電位器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調(diào)電位器--- TSM3。TSM3系列器件專為惡劣環(huán)境中空間受限的工業(yè)、消費(fèi)和通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用3 mm x 4 mm x 4 mm的緊湊尺寸，溫度范圍為-65 °C至+150 °C，密封等級(jí)為IP67。與上一代器件相比，日前發(fā)布的微調(diào)電位器的外形尺寸縮小了25 %，而且工作溫度范圍更寬。此外，TSM3系列允許在10 Ω至2 MΩ的寬電阻范圍內(nèi)微調(diào)，并且比單匝微調(diào)電位器的設(shè)置時(shí)間更快。這些器件
關(guān)鍵字： Vishay SMD微調(diào)電位器

Vishay安規(guī)電容-汽車(chē)EMI解決方案的優(yōu)質(zhì)選擇

在汽車(chē)電子化進(jìn)程中，電磁干擾（EMI）是亟待攻克的難題。Vishay車(chē)用X/Y安規(guī)電容應(yīng)運(yùn)而生，為汽車(chē)電子系統(tǒng)保駕護(hù)航。它具有高耐壓性能，能應(yīng)對(duì)汽車(chē)電氣復(fù)雜工況，降低故障風(fēng)險(xiǎn)，提升行車(chē)安全。來(lái)源：VishayY2安規(guī)電容在電路中起著重要作用，主要包括以下幾個(gè)方面?：1.??電氣隔離和安全保護(hù)2.??抑制電磁干擾（EMI）?3.??降低過(guò)電壓風(fēng)險(xiǎn)?4.??符合安全標(biāo)準(zhǔn)???Vishay作為全球領(lǐng)先安規(guī)電容器制造商，相當(dāng)重視安規(guī)產(chǎn)品的可靠性和壽命。在選擇 Y
關(guān)鍵字： Vishay 安規(guī)電容 EMI

Vishay HV 系列高壓 MLCC 賦能工業(yè)應(yīng)用

隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，產(chǎn)品對(duì)高性能電子元件的需求日益增加。高壓多層陶瓷電容器（HV MLCC）因其優(yōu)越的電氣性能、體積小、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)設(shè)備中。Vishay的 HV 系列高壓 MLCC 是這一領(lǐng)域的佼佼者，本文將探討其在工業(yè)中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品特性(如圖表所示)：HV MLCC 圖表，來(lái)源：Vishay? 高額定電壓：500 VDC - 8 kVDC? 封裝尺寸：1206 至 4044（英制）? 串聯(lián)電極設(shè)計(jì)：提供高可靠性? NME 系統(tǒng)和濕法工藝：
關(guān)鍵字： Vishay 電容器 MLCC

Vishay推出新款精密薄膜MELF電阻，可減少系統(tǒng)元器件數(shù)量，節(jié)省空間，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的0102、0204和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數(shù)（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ± 0.1 %，阻值高達(dá)10 MW，滿足各種應(yīng)用高穩(wěn)定性和高可靠性的要求。與之前的薄膜MELF電阻產(chǎn)品相比，日前發(fā)布的器件阻值顯著提高。例如，TCR為 ± 25 pp
關(guān)鍵字： Vishay 精密薄膜MELF電阻 MELF電阻

Vishay全集成接近傳感器榮獲2024年度中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)和2024年度EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司的VCNL36828P全集成接近傳感器榮獲兩項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)。器件分別獲得2024年度中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)的“IoT年度產(chǎn)品獎(jiǎng)”以及2024年度 EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)的“年度最佳傳感器獎(jiǎng)”。IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)由領(lǐng)先的電子科技媒體《電子發(fā)燒友網(wǎng)》主辦，已連續(xù)成功舉辦八屆，旨在表彰過(guò)去一年推出的對(duì)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響的產(chǎn)品和技術(shù)。EE Awards亞洲金選獎(jiǎng)由全球技術(shù)電子領(lǐng)域最大的媒體集團(tuán)AspenCore主辦，旨在表彰為亞洲電子行業(yè)的
關(guān)鍵字： Vishay 接近傳感器

Vishay推出應(yīng)用于對(duì)安全要求極高的電子系統(tǒng)的新款1 Form A固態(tài)繼電器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款1 Form A固態(tài)繼電器---VOR1060M4，該器件采用薄形SOP-4封裝，提供600 V負(fù)載電壓和3750 VRMS隔離電壓。Vishay? VOR1060M4旨在為儲(chǔ)能、工業(yè)和移動(dòng)應(yīng)用提供快速開(kāi)關(guān)，可提供0.3 ms的快速導(dǎo)通時(shí)間（典型值）和2 nA的低漏電流。日前發(fā)布的這款光隔離器件采用先進(jìn)的紅外發(fā)射器和光電二極管，導(dǎo)通時(shí)間快，非常適合對(duì)安全要求極高的應(yīng)用。固態(tài)繼電器的漏電流較低，使器件可在敏感的低電
關(guān)鍵字： Vishay 1 Form A 固態(tài)繼電器

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Vishay推出采用TO-263（D2PAK）封裝，具有多脈沖處理能力的車(chē)規(guī)級(jí)表面貼裝厚膜功率電阻器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出TO-263（D2PAK）封裝新型車(chē)規(guī)級(jí)表面貼裝厚膜功率電阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，具有多脈沖處理能力，25 °C殼溫下功率耗散達(dá)35 W，適用于各種汽車(chē)應(yīng)用。日前發(fā)布的器件功率耗散和穩(wěn)定性均優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)TO-263（D2PAK）封裝器件，適用于多脈沖和重復(fù)脈沖條件下使用。電阻器25 °C下1000次脈沖最大阻值偏移為2%，100 000次脈沖阻值偏移小于5
關(guān)鍵字： Vishay 多脈沖處理能力厚膜功率電阻器

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
關(guān)鍵字： Vishay 超快恢復(fù)整流器

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
關(guān)鍵字： Vishay 超快恢復(fù)整流器

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復(fù)整流器

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車(chē)級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。日前發(fā)
關(guān)鍵字： Vishay 超快恢復(fù)整流器

Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了1
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

共566條 1/38 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]