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第三代驍龍8助力Xiaomi 14 Ultra定義移動影像新層次

  • 2月22日,小米召開Xiaomi 14 Ultra暨“人車家全生態(tài)”新品發(fā)布會,正式發(fā)布全新Xiaomi 14 Ultra。搭載第三代驍龍8移動平臺的龍年開年旗艦Xiaomi 14 Ultra,全面定義了未來移動影像新層次,并在性能、連接、音頻等方面帶來出色體驗(yàn)。  Xiaomi 14 Ultra搭載第三代驍龍8,帶來巔峰性能和卓越能效表現(xiàn)。第三代驍龍8采用4nm制程工藝,其全新的Kryo CPU和Adreno GPU在性能和能效方面均實(shí)現(xiàn)了大幅提升,賦能極致流暢的日常使用體驗(yàn)。第三代
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

  • 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場,競爭壓力加大,汽車制造商需要不斷提
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帶隙對決:GaN和SiC,哪個(gè)會占上風(fēng)?

  • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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測試發(fā)現(xiàn)三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

  • ?2 月 6 日消息,和 iPhone 15 Pro Max 一樣,三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架,以提升手機(jī)的耐用性和輕量化程度。然而,兩款手機(jī)的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過火燒測試,揭示了其中的奧秘。此前,JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進(jìn)行了同樣的測試,發(fā)現(xiàn)其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無損。這并不令人意外,因?yàn)闇y試所用的熔爐溫度不足以熔
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意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求

  • 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開》專題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵)。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計(jì),2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款,預(yù)計(jì)明年部分
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

  • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設(shè)計(jì)性能

  • 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
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SiC生長過程及各步驟造成的缺陷

  • 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要,因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長,同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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采用Corning? Gorilla? Armor,三星 Galaxy S24 Ultra開創(chuàng)耐用性和視覺清晰度新標(biāo)準(zhǔn)

  • 康寧,紐約州——康寧公司(紐約證券交易所代碼:GLW)和三星電子有限公司于2024年1月17日宣布,三星的Galaxy S24 Ultra設(shè)備將采用康寧的新型Corning? Gorilla? Armor蓋板材料。大猩猩Armor具有無與倫比的耐用性和視覺清晰度,能在陽光下提供更豐富的顯示效果,并能更好地防止日常磨損造成的損壞?!翱祵幍拇笮尚?玻璃與Galaxy S系列一起推動了創(chuàng)新,并在實(shí)現(xiàn)更高的耐用性方面取得了重大進(jìn)展,”三星電子執(zhí)行副總裁兼移動體驗(yàn)業(yè)務(wù)機(jī)械研發(fā)團(tuán)隊(duì)主管 Kwang
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個(gè)開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場,助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
  • 關(guān)鍵字: 安森美  第三代半導(dǎo)體  碳化硅  SiC  

SiC 長期供貨,理想簽協(xié)議

  • 意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
  • 關(guān)鍵字: SiC  

SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能!

  • 過去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過,它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu),而是垂直結(jié)構(gòu),它們使用多個(gè)摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?,引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu),如超級結(jié),并極大地改變了MOSFET的行為?;維pice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在,通過引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù),安森美(onsemi)使仿真精度
  • 關(guān)鍵字: 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動的優(yōu)勢

  • 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率(50-100kHz)來維持所需的紋波電流。然而,對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無法滿足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機(jī)會。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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