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恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

  • 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
  • 關鍵字： 恩智浦  SiC  逆變器  

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，成立創(chuàng)新聯合實驗室

  • ●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關品牌純電車型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯合實驗室，共同推動節(jié)能智能化電動汽車發(fā)展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌
  • 關鍵字： 吉利汽車  ST  SiC  意法半導體  

意法半導體與吉利汽車簽署SiC長期供應協(xié)議

  • 6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。據數據顯
  • 關鍵字： ST  吉利汽車  SiC  

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議，深化新能源汽車轉型；成立創(chuàng)新聯合實驗室，推動雙方創(chuàng)新合作

  • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉型。此外，吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上，建立創(chuàng)新聯合實驗室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
  • 關鍵字： SiC  ADAS  新能源汽車  

構建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

  •    能源是人類生存和發(fā)展的重要物質基礎，能源轉型則是當今國際社會關注的焦點問題，隨著全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂，新能源市場的需求正在快速增長。　　當前全球汽車產業(yè)電動化正在深度推進，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產業(yè)成為各國重點發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數量最多、服務范圍最廣、品種類型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經1：1，領先世界其它國家數倍
  • 關鍵字： 充電樁  新能源汽車  SIC  

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關鍵！

  • 電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質量和制造技術方面取得了哪些進步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  功率器件  

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案

  • 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  MOSFET  高效驅動  電力電子  

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
  • 關鍵字： Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
  • 關鍵字： SiC MOSFET  IGBT  低側柵極驅動器  

多款車型相繼發(fā)布，SiC技術加速“上車”

  • SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統(tǒng)、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
  • 關鍵字： Sic  新能源汽車  蔚來  

英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應一系列產品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
  • 關鍵字： 英飛凌  小米  SU7  智能電動汽車  SiC  

中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產線達產

  • 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，據悉
  • 關鍵字： 中宜創(chuàng)芯  SiC  

英飛凌：將為小米電動汽車提供先進的功率芯片

  • 德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
  • 關鍵字： SiC  英飛凌  

2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元

  • TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
  • 關鍵字： SiC  功率器件  TrendForce  

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
  • 關鍵字： 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  
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