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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
- 關(guān)鍵字: 宜普 EPC MOSFET
Mouser Electronics 榮獲 TDK-Lambda 頒發(fā)的最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)
- 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲 TDK Corporation 旗下的集團(tuán)公司 TDK-Lambda Americas Inc.頒發(fā)的 2013 年度最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)。 本獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰分銷商 Mouser 在2013年協(xié)助 TDK-Lambda 突破業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)和銷售目標(biāo)方面的突出成就。TDK-Lambda 作為領(lǐng)先的工業(yè)電源制造商,致力于為全球工業(yè)領(lǐng)域提供高可靠性產(chǎn)品,Mouser.cn 為您提供了所有這些產(chǎn)品。 Mo
- 關(guān)鍵字: TDK-Lambda Mouser 電源
EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇
- 功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來(lái)數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過(guò)百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。 增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字: MOSFET EPC eGaN 201406
TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

- 據(jù)悉,TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列,該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD,通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte,并支持串行ATAⅡ。 目前,在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注,而在工業(yè)用途方面,預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí),更加重視可靠性,許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。 因此,考
- 關(guān)鍵字: TDK 閃存 SNG4A
TDK技術(shù)和產(chǎn)品新聞發(fā)布會(huì)期2013

- 近年來(lái),汽車的電子化進(jìn)程正不斷發(fā)展,隨著越來(lái)越多的電子控制單元(ECU)搭載于發(fā)動(dòng)機(jī)室周圍,這種極端溫度環(huán)境下所使用的電容器要求有很高的耐熱性、可靠性及緊湊性。TDK已擴(kuò)大其MEGACAP類型中的CKG系列積層陶瓷電容器,目前包括了小型尺寸1608~3216(EIA?0603~1206)。而此前積層陶瓷電容器只有3225~5750尺寸(EIA1210~2220)。新的1608組件尺寸只有1.9×1.3×1.5mm3,是世界上最小的車載帶引線框架積層陶瓷電容器。將于2014年4月開始量產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字: TDK MEGACAP 電容器
超小型藍(lán)牙模塊
- ·?最適合可穿戴設(shè)備的世界最小*尺寸4.6?x?5.6?x?1.0mm(TYP) ·?可輕松地與Bluetooth??Smart?Ready兼容產(chǎn)品進(jìn)行通信 ·?以天線分離式擴(kuò)大了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度 2014年2月12日 TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜 健宏)開發(fā)出最適合于今后將會(huì)迅速普及的可穿戴設(shè)備的超小型Bluetooth?模塊(產(chǎn)品名:SESUB-PAN-T2541),并將從2014年2月起開始量產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字: Bluetooth TYP TDK
EMC對(duì)策元件

- TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜健宏)開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平※阻抗值的信號(hào)傳輸電路用片式磁珠MMZ1005-V(?L:1.0×W:0.5×H:0.5mm)系列,并從2013年9月起開始量產(chǎn)?! ≡谝灾悄苁謾C(jī)為代表的移動(dòng)通信設(shè)備中,由于搭載了WiFi、LTE等,通信頻率正日益走向高頻化。隨之,包括模塊在內(nèi)的被動(dòng)元件,都需要可以應(yīng)對(duì)2GHz以上頻率的噪聲對(duì)策?! ≡摦a(chǎn)品通過(guò)采用新型磁性材料,將阻抗峰值頻率擴(kuò)大到2.5GHz頻段,實(shí)現(xiàn)了高阻抗。在2.5GHz上的阻抗值為3,000(Ω)typ.,與以往產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: EMC 元件 TDK
電容器

- 2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸),使用的容值范圍為1?微法?至100?微法,額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏,容值為5?微法?! eraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比:由于該款新電容
- 關(guān)鍵字: TDK 電容器 CeraLink SiC
聲學(xué)元件

- 2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK公司最近新推出了C928型麥克風(fēng),進(jìn)一步擴(kuò)大了愛普科斯?(EPCOS)?MEMS麥克風(fēng)的產(chǎn)品類型。該款麥克風(fēng)擁有高達(dá)66dB(A)的信噪比?(SNR),頻率范圍為20Hz到20KHz,非常適用于智能手機(jī)中高要求的音頻應(yīng)用。當(dāng)音源較遠(yuǎn)時(shí),例如免提通話或錄制視頻時(shí),它的高信噪比能夠顯著提高音質(zhì)?! ?duì)于傳統(tǒng)麥克風(fēng),在高聲壓情況下,較高的信噪比通常會(huì)大幅增加非線性失真度。而對(duì)于采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)的C928?MEMS麥克風(fēng)而言,即便
- 關(guān)鍵字: TDK MEMS MEMS
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)tdk-epc的理解,并與今后在此搜索tdk-epc的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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