sram 文章 進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)
富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布,通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
- 關(guān)鍵字: 富士通 SRAM
富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊
- 富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布,通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
- 關(guān)鍵字: 富士通 SRAM
富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作

- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta,Inc今日宣布,通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。
- 關(guān)鍵字: 富士通 SuVolta SRAM
賽普拉斯推出32位總線寬度低耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
- 關(guān)鍵字: 賽普拉斯 SRAM
賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL (更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。
- 關(guān)鍵字: 賽普拉斯 SRAM
QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

- QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì),為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器?! ? QDR SRAM的
- 關(guān)鍵字: 接口 設(shè)計(jì) FPGA Spartan3 SRAM QDR
QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM
- 北京訊,包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容,從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺(tái)制造商不必修改電路板設(shè)計(jì),只需提高系統(tǒng)內(nèi)時(shí)鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能?!?/li>
- 關(guān)鍵字: QDR SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對(duì)DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
