sram 文章進(jìn)入sram技術(shù)社區(qū)

用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過(guò)下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機(jī) 加密嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲(chǔ)分配器。如今，人們對(duì)所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫(kù))搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)解決帳單編制問(wèn)題。通過(guò)統(tǒng)計(jì)來(lái)連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問(wèn)題檢測(cè)和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加，需要采用包
關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲(chǔ)器通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線存儲(chǔ)器

IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應(yīng)用

IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM），可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無(wú)損傳輸。
關(guān)鍵字： V9289 SRAM IDT

德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

ISSCC 會(huì)議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗日前，麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 測(cè)試器件。該款 SRAM&
關(guān)鍵字： MIT DARPA SRAM 德州存儲(chǔ)器

為實(shí)現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)

按慣例，設(shè)計(jì)人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時(shí)鐘域器件。在需要更高性能時(shí)，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)選擇更高的時(shí)鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開(kāi)發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這就將工作重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時(shí)鐘頻率。存儲(chǔ)器帶寬的定義為：給定時(shí)間內(nèi)可通過(guò)器件訪問(wèn)的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲(chǔ)器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲(chǔ)器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡(jiǎn)單的方程式可計(jì)算出帶寬：帶寬=I/O速度
關(guān)鍵字： SRAM 存儲(chǔ)器

支持高性能應(yīng)用的SRAM

SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無(wú)總線時(shí)延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論，分組處理對(duì)內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個(gè)功能以及其它存儲(chǔ)功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu)，以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點(diǎn)介紹針對(duì)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級(jí) SRAM 架構(gòu)。此外，還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標(biāo)準(zhǔn)。網(wǎng)
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sram介紹

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時(shí)間，固定要對(duì)DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一 [ 查看詳細(xì) ]