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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規(guī)級(jí)CAN SIC(信號(hào)改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車(chē)載通信方案,NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下,進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn),可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能,即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下,NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量;此外,超高的EMC表現(xiàn),更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用(如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器,Silicon Mobility公司的控制板和軟件,超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器,直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
- 關(guān)鍵字: SiC 逆變器 電機(jī) CISSOID Silicon Mobility
Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國(guó) 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET,從而簡(jiǎn)化
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車(chē)、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字: 電力轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET
安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中,汽車(chē)芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化,可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車(chē)制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車(chē)企和新興造車(chē)勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng),競(jìng)爭(zhēng)壓力加大,汽車(chē)制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字: 智能電源 智能感知 汽車(chē)領(lǐng)域 SiC
意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場(chǎng)需求
- 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開(kāi)》專(zhuān)題報(bào)道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵(lì))。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》統(tǒng)計(jì),2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車(chē)型又新增了40多款,預(yù)計(jì)明年部分
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 SiC
臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目
- 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞琛(Aachen)等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)性能
- 中國(guó) 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車(chē)載充電器、DC/DC 
- 關(guān)鍵字: Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要,因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過(guò)渡,正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng),同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性,這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字: SiC 晶圓
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字: Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉(zhuǎn)換 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 碳化硅 SiC
安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的 推動(dòng)下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%,在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長(zhǎng) 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專(zhuān)注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 安森美 第三代半導(dǎo)體 碳化硅 SiC
SiC 長(zhǎng)期供貨,理想簽協(xié)議
- 意法半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字: SiC
SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能!
- 過(guò)去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò),它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu),而是垂直結(jié)構(gòu),它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌停肓烁鼜?fù)雜的結(jié)構(gòu),如超級(jí)結(jié),并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線性因素?,F(xiàn)在,通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù),安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字: 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)
- 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類(lèi)型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率(50-100kHz)來(lái)維持所需的紋波電流。然而,對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)無(wú)法滿足這些需求,如果是380V系統(tǒng),硅MOSFET耐壓又不夠,這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 SiC MOSFET
sic-sbd介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic-sbd的理解,并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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