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英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)一系列產(chǎn)品
- Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示,將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)碳化硅(SiC)功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如,基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車(chē)型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外,英飛凌還為小米電動(dòng)汽車(chē)供應(yīng)了一系
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 小米 SU7 智能電動(dòng)汽車(chē) SiC
中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)達(dá)產(chǎn)
- 近日,河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng)芯”)SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達(dá)產(chǎn),產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%,已在國(guó)內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開(kāi)展試用和驗(yàn)證。資料顯示,中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日,由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立,總投資20億元,分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項(xiàng)目一期總投資6億元,年產(chǎn)能500噸,占地12000平方米,2023年6月20日開(kāi)工建設(shè),9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn),9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元,據(jù)悉
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2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,盡管純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應(yīng)鏈,但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì),未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌,近期均報(bào)告了令人失望的銷(xiāo)售數(shù)據(jù),其中Tesla在1
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雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字: 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過(guò)渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì),因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣
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全面升級(jí)!安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分,將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代,國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日,包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開(kāi)始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng),預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè),2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn),預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場(chǎng)研究公司TrendForce表示,對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高,因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì),大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用,市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算,從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí),8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
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如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)?
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
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SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的?
- 進(jìn)入 2024 年,10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大,普遍要求降價(jià) 20%,過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為,車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降,但從大背景來(lái)看,2 月銷(xiāo)量下滑,或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看,成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力,SiC(碳化硅)會(huì)不會(huì)是出路呢?降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日,可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
- 關(guān)鍵字: SiC
納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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