sic-sbd 文章 進入sic-sbd技術社區(qū)
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

- 如今,碳化硅用于要求苛刻的半導體應用,如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術等要求苛刻領域的進步,但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今,碳化硅用于要求苛刻的半導體應用,如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
- 關鍵字: SiC
中國小型 SiC 廠商,難過 2023
- 2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊,成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明,在相同功率等級下,SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關損耗降低了 75%。換算下來,采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊,其系統(tǒng)效率可以提高 5%左右。一場特斯拉的大風,引燃了 SiC。然而,就在剛剛過去的 3 月份,特斯拉卻突然宣布,下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%,因借創(chuàng)新技術找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
- 關鍵字: SiC
第三代半導體高歌猛進,誰將受益?

- “現(xiàn)在的新車,只要能用碳化硅的地方,便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體(ST)曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下,在全球半導體行業(yè)的逆流中,第三代半導體正閃爍著獨特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅定下注,一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日,科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行周
- 關鍵字: 第三代半導體 SiC GaN
如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

- 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓(輸入到輸出)的電隔離,驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊,并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求,柵極驅(qū)
- 關鍵字: SiC 牽引逆變器
泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案, 加快SiC和GaN技術驗證速度

- 中國北京,2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行,并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
- 關鍵字: 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
投身車電領域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

- 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施,電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時,不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計,全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
- 關鍵字: 車用 電能轉換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

- “引言”近年來,為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如,多
- 關鍵字: 增強互連封裝技術 SiC MOSFET單管 焊機
目標 2027 年占領 40% 的汽車 SiC 芯片市場,安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠

- IT之家 5 月 18 日消息,安森美半導體表示將投資 20 億美元,用于擴展現(xiàn)有工廠,目標在全球汽車碳化硅(SiC)芯片市場中,占據(jù) 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠,其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠,安森美半導體計劃構建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年,安森美半導體的銷售
- 關鍵字: 汽車電子 安森美 SiC
意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

- 2023 年 5月 16 日,中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用,采用隔離降壓拓撲結構,需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流,集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示,以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
- 關鍵字: 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
- 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢,因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行,同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
- 關鍵字: 安森美 IGBT SiC
sic-sbd介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-sbd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sic-sbd的理解,并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sic-sbd的理解,并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
