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強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術車規(guī)級60 V N通道 突破車用電子的高效表現(xiàn)
- 隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
- 關鍵字： 強茂 SGT MOSFET 車用電子
第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
- 關鍵字： 三菱電機 SiC
意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅(qū)動器 IGBT SiC MOSFET
東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
- 關鍵字： 東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
- 關鍵字： SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse
全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關鍵字： SiC
利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點
- 壓縮機是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
- 關鍵字： 壓縮機 汽車空調(diào) SiC
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
- 關鍵字： STPOWER SiC MOSFET
東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
- 關鍵字： 東芝 SiC 肖特基勢壘二極管 工業(yè)電源
【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退
- 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關鍵功能：自動提取設備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應力時間的應力測量序列輕松導出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
- 關鍵字： 202410 泰克科技 MOSFET
Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
- 關鍵字： littlefuseli MOSFET
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