sic sbd 文章 進(jìn)入sic sbd技術(shù)社區(qū)
碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)
- 從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV),它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿,如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比,SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新,一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前,對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是,等待本身也會帶來風(fēng)
- 關(guān)鍵字: WBG SiC 半導(dǎo)體
光伏逆變器市場狂飆,全SiC模組會成為主流嗎?
- 隨著清潔能源的快速增長,作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng),離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢,均在市場上有廣泛應(yīng)用。但隨著SiC成本下降,全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年,光伏逆變器市場狂飆目前,風(fēng)能和太陽能的總發(fā)電量已經(jīng)超過了水力發(fā)電。預(yù)計(jì)到2028年,清潔能源的比重將達(dá)到42%。中國市場增長勢頭強(qiáng)勁,已成為全球清潔能源增長的主要驅(qū)動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 功率模塊 SiC 逆變器
第10講:SiC的加工工藝(2)柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程,在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中,這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜,并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而,SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異,在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先,與Si相比,SiC的熱氧化速率低。因此,該過程需要很長時(shí)間,而且還需要高溫。在SiC的熱氧
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) SiC 柵極絕緣層
第9講:SiC的加工工藝(1)離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小,因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)(形成pn結(jié))。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù):在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí),對于n型區(qū)域通常使用氮(N)或磷(P),這是容易低電阻化的施主元素,而對于p型區(qū)域則通常使用鋁(Al)作為受主元素。另外,用于Al離子注入的原料通常是固體,要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入,需
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用,包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品,供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí),其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD(肖特基勢壘二極管)以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題,但如若將SBD布置在芯片上
- 關(guān)鍵字: 東芝 低導(dǎo)通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管,這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案,專為保護(hù)碳化硅(SiC)MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高,因此越來越受到歡迎,對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案,在簡化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET柵極保護(hù) 非對稱瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse
進(jìn)擊的中國碳化硅
- 中國碳化硅廠商把價(jià)格打下來了。
- 關(guān)鍵字: SiC
全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠?
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
- 關(guān)鍵字: SiC
利用SiC模塊進(jìn)行電動壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機(jī)為動力,通過皮帶帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機(jī),以電池為動力,通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機(jī),從而帶動壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動,實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件,除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度(制冷,制熱)以外,對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動壓縮機(jī)是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機(jī)需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世!為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù),推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬,有
- 關(guān)鍵字: 東芝 SiC 肖特基勢壘二極管 工業(yè)電源
第4講:SiC的物理特性
- 與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料,具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比,4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度,可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比,物理特性相似,但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異,4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外,由
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) SiC
第5講:SiC的晶體缺陷
- SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)(SF)、以及刃位錯(cuò)(TED)、螺旋位錯(cuò)(TSD)、基面位錯(cuò)(BPD)和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言,最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中,微管是1?10個(gè)/cm2,位錯(cuò)的密度約為103~10?長達(dá)個(gè)/cm2。至今,與Si相
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