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設計基于SiC的電動汽車直流快速充電機
- 電動汽車(EV)直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機,直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示,直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成:圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統(tǒng)時,必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護,以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
- 關鍵字: SiC 電動汽車 直流快速充電機 Wolfspeed
優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定
- 6月7日,蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司(以下簡稱“優(yōu)晶科技”)宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可,成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為,優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大,創(chuàng)新性強,突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸,擁有自主知識產權,經濟效益顯著。資料顯示,優(yōu)晶科技成立于2010年12月,專注于大尺寸(6英寸及以上)導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備,經持續(xù)工藝優(yōu)化,目前已推出至第四代機型——UKIN
- 關鍵字: 優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備
恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器
- 6月4日,NXP Semiconductors NV(恩智浦半導體)在官網披露,其與ZF Friedrichshafen AG(采埃孚)公司合作,為電動汽車(EV)開發(fā)基于碳化硅(SiC)的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓(HV)隔離柵極驅動器,該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據(jù)介紹,GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器,可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解,牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
- 關鍵字: 恩智浦 SiC 逆變器
意法半導體與吉利汽車簽署SiC長期供應協(xié)議
- 6月4日,意法半導體(ST)與吉利汽車集團宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動車性能,加快充電速度,延長續(xù)航里程,深化新能源汽車轉型。此外,吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、高級駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關領域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
- 關鍵字: ST 吉利汽車 SiC
吉利汽車與ST簽署SiC長期供應協(xié)議,深化新能源汽車轉型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,推動雙方創(chuàng)新合作
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應協(xié)議,在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動車性能,加快充電速度,延長續(xù)航里程,深化新能源汽車轉型。此外,吉利和ST還在多個汽車應用領域的長期合作基礎上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、
- 關鍵字: SiC ADAS 新能源汽車
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品,它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿足市場對采用D2
- 關鍵字: Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創(chuàng)新的驅動器專門設計用于驅動工業(yè)應用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置,以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
- 關鍵字: SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
多款車型相繼發(fā)布,SiC技術加速“上車”
- SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9,搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊,以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包,單顆電芯能量密度高達292Wh/kg,充電效率達到5C,呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘,續(xù)航255公里。近日,蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發(fā)布,這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉,樂道全域采用900V高壓架構,包括電驅系統(tǒng)、熱泵空調、輔助加熱器(PTC)、車載充電機(OBC)、直流電壓變換器(DC-DC)均為900
- 關鍵字: Sic 新能源汽車 蔚來
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