sic mosfet 文章 進入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場破10億
- 為進一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動車
- SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
- 使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關(guān)可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進行了比較。白皮書當(dāng)然，接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長一段時間了，但是我們這里要談的不是機械開關(guān)。現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān)，它們最好在打開時沒有電阻，在關(guān)閉時電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅(qū)動下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設(shè)計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導(dǎo)致設(shè)備和人員危險，同時還會由
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題
- 這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考。在展開
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豪威集團發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET
- 電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設(shè)計近幾年，手機快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
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安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
- 雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
- 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此，本文介紹了
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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器
- 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴苛的應(yīng)用提供高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅(qū)動器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計提供完整的硬件和軟件平臺。CIS
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)
- 隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應(yīng)商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商，提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門極驅(qū)動器等周邊器件，滿足低
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H
- 過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
- 隨著制備技術(shù)的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計人員提供了
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