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豪威集團發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

作者: 時間:2022-06-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護,離不開高性能的開關器件。近日,全新推出兩款:業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道 WNMD2196A和SGT 80V N溝道 WNM6008。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202206/435677.htm

 

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WNMD2196A 超低Rss(ON),專為手機鋰電池保護設計

近幾年,手機快充技術飛速發(fā)展,峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時,高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用,其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。

 

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雙N溝道增強型MOSFET,WNMD2196A具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻,RSS(ON)低至1m?,專為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A采用先進的溝槽技術設計,提供卓越的RSS(ON)的同時實現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快,闕值電壓低,開關速率高。

 

WNMD2196A兼顧性能與設計靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP封裝,更緊湊,方便電池應用布板設計。同時,優(yōu)化的SOA特性,提高承受沖擊電流的能力;超低RSS(ON),可實現(xiàn)更高的效率和更低的溫升,提升了產(chǎn)品的可靠性。

 

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WNMD2196A參數(shù)

 

 

WNM6008 80V高功率MOSFET 適用太陽能、電池供電應用

 

WNM6008——80V高功率MOSFET,采用最新一代Shield Gate技術,針對電信和服務器電源中使用的更高開關頻率進行了優(yōu)化,具備超低FOM值(開關應用重要優(yōu)值系數(shù))。WNM6008低開關和導通損耗,可實現(xiàn)更高效率、更優(yōu)EMI性能。適用于同步整流應用,優(yōu)化了反向恢復電荷從而實現(xiàn)更低的尖峰電壓,提供最高水平的功率密度和能效,繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。

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WNM6008適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路??捎行зx能太陽能、電源和電池供電(例如電動代步車)等應用。該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準,采用QFN5x6標準緊湊封裝,在實現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r,方便對市場上同類產(chǎn)品進行升級替換。

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WNM6008參數(shù)        

 

憑借多年技術沉淀,緊跟市場需求,在MOSFET工藝上具有導通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全,能夠滿足多種定制化需求的獨特優(yōu)勢。未來,將持續(xù)發(fā)力電路保護領域,不斷升級創(chuàng)新,為數(shù)字電路應用的新時代助力賦能。




關鍵詞: 豪威集團 MOSFET

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