電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。

WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設計

近幾年，手機快充技術飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。

雙N溝道增強型MOSFET，WNMD2196A具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，RSS(ON)低至1m?，專為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A采用先進的溝槽技術設計，提供卓越的RSS(ON)的同時實現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，闕值電壓低，開關速率高。

WNMD2196A兼顧性能與設計靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP封裝，更緊湊，方便電池應用布板設計。同時，優(yōu)化的SOA特性，提高承受沖擊電流的能力；超低RSS(ON)，可實現(xiàn)更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。

WNMD2196A參數(shù)

WNM6008 80V高功率MOSFET 適用太陽能、電池供電應用

WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技術，針對電信和服務器電源中使用的更高開關頻率進行了優(yōu)化，具備超低FOM值（開關應用重要優(yōu)值系數(shù)）。WNM6008低開關和導通損耗，可實現(xiàn)更高效率、更優(yōu)EMI性能。適用于同步整流應用，優(yōu)化了反向恢復電荷從而實現(xiàn)更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。

WNM6008適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關和充電電路?？捎行зx能太陽能、電源和電池供電（例如電動代步車）等應用。該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準，采用QFN5x6標準緊湊封裝，在實現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r，方便對市場上同類產(chǎn)品進行升級替換。

WNM6008參數(shù)        

豪威集團憑借多年技術沉淀，緊跟市場需求，在MOSFET工藝上具有導通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全，能夠滿足多種定制化需求的獨特優(yōu)勢。未來，豪威集團將持續(xù)發(fā)力電路保護領域，不斷升級創(chuàng)新，為數(shù)字電路應用的新時代助力賦能。