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大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì),該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)(包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器)如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關(guān)鍵字: SiC 牽引逆變器
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著設(shè)備變得越來越小,電源也需要跟上步伐。因此,當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo):化單位體積的功率(W/mm 3)。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來提高性能和安全性,并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行額外的工作,但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗,同時(shí)限度地延長系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
- 關(guān)鍵字: SiC
全球SiC爭霸賽,誰在豪擲千金?
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對(duì)美國具有深遠(yuǎn)的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金(NSF)獲得了1787萬美元的資助,用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育,以達(dá)到鼓勵(lì)美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線,能夠讓美國大學(xué),企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長期
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的?擅長聯(lián)合,布局多重應(yīng)用,投資未來
- 歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極,ST(意法半導(dǎo)體)、英飛凌、恩智浦(NXP)被稱為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車,也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應(yīng)用市場,ST要靠自己找市場、摸爬滾打,以解決生存和發(fā)展問題。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Garnter數(shù)據(jù),ST 2022年?duì)I收158.4億美元,年增長率為25.6%,是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè),ST是如何顯露出真金本色,成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的?又是如何布局未來的?表1 202
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MCU SiC
汽車芯片,有兩大好賽道
- 汽車的智能化和電動(dòng)化趨勢,勢必帶動(dòng)車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升,其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體,車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件,無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體,混合動(dòng)力汽車的功率器件占比增至 40%,純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片,模擬芯片在汽車各個(gè)部分均有應(yīng)用,包括車身、儀表、底盤、動(dòng)力總成及 ADAS,主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今,新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 SiC GaN 模擬芯片
更小、更快、更節(jié)能,半導(dǎo)體芯片迎大突破
- 最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見肘”,這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲(chǔ)、搜索和分析越來越復(fù)雜,這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能,以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場效應(yīng)晶體管(FE-FETs)是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì),在其中植入場效應(yīng)和電荷積累,實(shí)現(xiàn)了長期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢。因此,一個(gè)成功的FE-FET設(shè)計(jì)可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示,與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊,而逆變器用于電動(dòng)汽車的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議,賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示,目前IGBT缺貨基本在39周以上,供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上,市場部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌,其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 賽米控 電動(dòng)汽車芯片 SiC IGBT
羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車用SiC功率組件市場,目前主要由IDM大廠獨(dú)霸,根據(jù)統(tǒng)計(jì),全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中,羅姆計(jì)劃在2025年,將SiC功率半導(dǎo)體的營收擴(kuò)大至1,000億日圓以上,成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo),該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠,未來將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi),預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng),將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo),羅姆將從日本的石油公
- 關(guān)鍵字: 羅姆 SiC
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

- 前面的文章,和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況,同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片,對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來說只是完成了一半的工作,還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來,這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖,圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖,從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的,里面包含了許
- 關(guān)鍵字: SiC Traction模塊 安森美 202311
用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南。本文為第三部分,將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展
- 近年來,汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長,并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代,實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng),今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期,科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日,科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字: 8英寸 SiC 科友半導(dǎo)體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)

- 最近,碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注,但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解,讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如,一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT,而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而,額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能,其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力,反向恢復(fù)電荷也非常小。因此,在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字: 202306 SiC
羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

- SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
- 關(guān)鍵字: 羅姆 緯湃 SiC
為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字: SiC 肖特基二極管
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

- 如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步,但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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