sic fet 文章 進入sic fet技術(shù)社區(qū)
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperG
- 關(guān)鍵字: Transphorm SuperGaN FET 驅(qū)動器
中國小型 SiC 廠商,難過 2023
- 2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊,成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明,在相同功率等級下,SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關(guān)損耗降低了 75%。換算下來,采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊,其系統(tǒng)效率可以提高 5%左右。一場特斯拉的大風(fēng),引燃了 SiC。然而,就在剛剛過去的 3 月份,特斯拉卻突然宣布,下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%,因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
- 關(guān)鍵字: SiC
第三代半導(dǎo)體高歌猛進,誰將受益?

- “現(xiàn)在的新車,只要能用碳化硅的地方,便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體(ST)曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下,在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中,第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅定下注,一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日,科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入下行周
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 SiC GaN
如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

- 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓(輸入到輸出)的電隔離,驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊,并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求,柵極驅(qū)
- 關(guān)鍵字: SiC 牽引逆變器
泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

- 中國北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行,并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
- 關(guān)鍵字: Qorvo 開爾文 FET
投身車電領(lǐng)域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

- 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施,電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時,不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計,全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
- 關(guān)鍵字: 車用 電能轉(zhuǎn)換 車電領(lǐng)域 IGBT SiC 功率模塊
采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機

- “引言”近年來,為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計來實現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如,多
- 關(guān)鍵字: 增強互連封裝技術(shù) SiC MOSFET單管 焊機
目標 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場,安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴建工廠

- IT之家 5 月 18 日消息,安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元,用于擴展現(xiàn)有工廠,目標在全球汽車碳化硅(SiC)芯片市場中,占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國、捷克共和國和韓國都設(shè)有工廠,其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會擴建哪家工廠,安森美半導(dǎo)體計劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年,安森美半導(dǎo)體的銷售
- 關(guān)鍵字: 汽車電子 安森美 SiC
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

- 2023 年 5月 16 日,中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu),需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流,集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示,以及過流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 隔離式降壓轉(zhuǎn)換器 功率轉(zhuǎn)換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅(qū)動
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計

- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強了高功率應(yīng)用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186,這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302,可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
- 關(guān)鍵字: EPC GaN FET ARMS 電機驅(qū)動器
Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

- 奈梅亨,2023年5月10日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字: Nexperia E-mode GAN FET
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
- 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢,因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行,同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
- 關(guān)鍵字: 安森美 IGBT SiC
sic fet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對sic fet的理解,并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
