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妙趣橫生的電子小知識　第1篇：初識晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識和各種小知識。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學(xué)者來說，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
關(guān)鍵字： ROHM 電源設(shè)計(jì) ZVS

妙趣橫生的電子小知識　第1篇：初識晶體管

本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識和各種小知識。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛，涵蓋從基礎(chǔ)知識到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容，希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人，但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個(gè)應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?！熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機(jī)時(shí)，晶體管是不可或缺的重要器件。但是，對于電子制作初學(xué)者來說，掌握晶體管的使用方法有點(diǎn)難。剛開始電子制作時(shí)使用的元器件，比如電池、LED、電阻器和開關(guān)等，幾乎都是兩個(gè)引腳，而晶體管卻有三個(gè)引
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ROHM開發(fā)出精度達(dá)±1%的電流檢測放大器IC“BD14210G-LA”

與以往結(jié)構(gòu)相比，安裝面積減少約46%！輸入電壓范圍為－0.2V～＋26V，非常適用于12V和24V電源應(yīng)用的電流檢測用途全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向無線基站、PLC*1 和逆變器等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域以及白色家電等消費(fèi)電子領(lǐng)域，開發(fā)出更節(jié)省空間的高精度電流檢測放大器IC“BD1421x-LA系列”。近年來，越來越多的應(yīng)用產(chǎn)品需要具備電流檢測功能。例如，要想改善電機(jī)效率和實(shí)現(xiàn)異常檢測等目標(biāo)，就需要提高電流檢測精度。另外，還需要減少安裝面積。在以往結(jié)構(gòu)（運(yùn)算放大器+分立器件）中，存在元器件精
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ROHM開發(fā)出用于液晶背光的4通道、6通道LED驅(qū)動器,助力中大型車載顯示器進(jìn)一步降低功耗

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對車載信息娛樂系統(tǒng)和車載組合儀表等應(yīng)用，成功開發(fā)出適用于中型車載顯示器的4通道LED驅(qū)動器IC“”、“BD83A14EFV-M”，以及適用于大型車載顯示器的6通道LED驅(qū)動器IC“BD82A26MUF-M”。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）的發(fā)展和車載信息娛樂系統(tǒng)的功能增加，車載顯示器的尺寸日趨增大。這就要求用于車載顯示器液晶背光的LED驅(qū)動器具有更高的驅(qū)動效率，能夠在提高額定輸出電流的同時(shí)降低功耗。此外，如果車載顯示器出現(xiàn)閃爍，其視認(rèn)性將會降低
關(guān)鍵字： ROHM 液晶背光 LED驅(qū)動器車載顯示器

ROHM確立了業(yè)界超小短波紅外(SWIR)器件的量產(chǎn)技術(shù)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）針對需要進(jìn)行物質(zhì)檢測的便攜設(shè)備、可穿戴和可聽戴設(shè)備，確立了1608尺寸（1.6mm×0.8mm）業(yè)界超小的短波紅外*1（以下簡稱SWIR：Short Wavelength Infrared）器件量產(chǎn)技術(shù)。?SWIR利用了水、冰和氣體等吸收特定紅外波長的特性，在感測領(lǐng)域的應(yīng)用備受期待。這種產(chǎn)品不僅可用來檢測物質(zhì)的有無和成分的多少，還可以用作醫(yī)療領(lǐng)域的血氧飽和度和血糖檢測裝置的光源，在食品領(lǐng)域還可用來檢測蔬菜和水果的含水量和含糖量等。另外，在便攜設(shè)備
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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧

羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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ROHM開發(fā)出輸出電壓更穩(wěn)定且非常適用于冗余電源的小型一次側(cè)LDO

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出支持高達(dá)45V的額定電壓、50mA輸出電流的一次側(cè)*1LDO穩(wěn)壓器*2（以下簡稱“LDO”）“BD7xxL05G-C系列”（BD725L05G-C、BD730L05G-C、BD733L05G-C、BD750L05G-C），該系列產(chǎn)品非常適用于各種冗余電源*3，用于車載應(yīng)用中，可提高車載電源系統(tǒng)的可靠性。近年來，隨著ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）等的發(fā)展，要求為這些應(yīng)用供電的車載電源系統(tǒng)具有更高的可靠性。因此，越來越多的車載電源系統(tǒng)都開始配備冗余電源，以
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ROHM助力智能功率器件實(shí)現(xiàn)功能安全并減少功率損耗

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。這些產(chǎn)品通過替代機(jī)械繼電器和MOSFET，實(shí)現(xiàn)汽車和工業(yè)設(shè)備市場所需的功能安全。新產(chǎn)品已于2022年10月開始暫以系列合計(jì)月產(chǎn)60萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)
關(guān)鍵字： ROHM 智能功率器件功率損耗 IPD

ROHM采用自有的電路和器件技術(shù)“TDACC?” 開發(fā)出有助于安全工作和減少功率損耗的小型智能功率器件

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統(tǒng)、PLC（Programable Logic Controller）等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關(guān)*1（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產(chǎn)品。近年來，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，圍繞自動駕駛（自動化）的技術(shù)創(chuàng)新日新月異，對安全性的要求也越來越高。在進(jìn)行設(shè)備開發(fā)時(shí)，必須考慮到如
關(guān)鍵字： ROHM TDACC 小型智能功率器件

ROHM開發(fā)出有助于xEV相關(guān)應(yīng)用的小型化和減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”

與普通產(chǎn)品相比，在主驅(qū)逆變器、OBC等的隔離電路中，安裝面積可減少約30%全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器和，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，混合動力汽車和純電動汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要動力來源，并配備了各類電動汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動
關(guān)鍵字： ROHM 轉(zhuǎn)換器 xEV

ROHM開發(fā)出隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7Fx05EFJ-C”，助力xEV相關(guān)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型化以及減少降噪設(shè)計(jì)工時(shí)！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出兩款隔離型反激式*1DC-DC轉(zhuǎn)換器“BD7F105EFJ-C”和“BD7F205EFJ-C”，新產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）的主驅(qū)逆變器、車載充電器（以下簡稱“OBC”）、電動壓縮機(jī)以及PTC加熱器*2等應(yīng)用中配備的柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電源。近年來，為了實(shí)現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展，混合動力汽車和純電動汽車（統(tǒng)稱“xEV”）加速普及。xEV將電力作為主要動力來源，并配備了各類電動汽車特有的應(yīng)用，比如用于驅(qū)動電機(jī)的主驅(qū)逆變器、用于空調(diào)的電動壓縮機(jī)、用于提升車
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什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真

在“DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進(jìn)行電路工作仿真，還會介紹可以同時(shí)執(zhí)行該IC和外置器件肖特基勢壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環(huán)境及其使用方法。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?ROHM Solution Simulator的熱分析功能具有以下特點(diǎn)：– 可對含有功率半導(dǎo)體、IC和無源器件的電路進(jìn)行熱-電耦合分析。– 除了電路工作期間的半導(dǎo)體芯片溫度（結(jié)溫）分
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)等可聽戴設(shè)備、智能手機(jī)等輕薄小型設(shè)備的開關(guān)應(yīng)用。近年來，隨著小型設(shè)備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設(shè)備內(nèi)部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導(dǎo)致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)

具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
關(guān)鍵字： ROHM 橋式結(jié)構(gòu) 柵極

表面溫度測量：熱電偶的固定方法

測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 將熱電偶的測量端（連接端）固定到IC等封裝上的方法有兩種：①使用聚酰亞胺（PI）膠帶等；②使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。? JEDEC推薦使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑的方法。? 除了熱電偶測量端的固定方法外，導(dǎo)線的處理也會影響到測量結(jié)果，因此應(yīng)沿著發(fā)熱源敷設(shè)導(dǎo)線。測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。熱電偶的固定方法：粘貼方法將熱電偶的
關(guān)鍵字： ROHM 熱電偶

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rohm介紹

Rohm株式會社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]