nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復雜度也在增加。
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L 加快邁向中高端

　　近年來，全球信息技術(shù)創(chuàng)新進入密集發(fā)生期，呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征，有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定，加快邁向全球價值鏈中高端，迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。　　工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露，2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達18.5萬億元，手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一，在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。　　據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄增長

　　全球半導體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達到4291億美元。　　這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的，HIS認為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機器學習。　　這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。　　IHS表示，動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
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中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國半導體最受傷？

中國已經(jīng)提出,提高從美國進口半導體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
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三星中國西安NAND Flash工廠二期項目動工

　　在當前NandFlash存儲器仍舊供不應求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃，28日正式動工，預計將在2019年完工啟用。　　據(jù)了解，該項總金額高達70億美元，工程期間達到3年的擴廠計劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。　　只是，該新的
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存儲器/嵌入式存儲器的市場機會　

美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預測，重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
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美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動3D NAND解決方案

　　美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇?！　≡撊乱苿咏鉀Q方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù)，
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春節(jié)不停工，武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？

　　打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。　　在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

　　全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導體工廠供應工業(yè)氣體?！　∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品?！　】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
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買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G？看完你就懂了

　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢?　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際
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旺宏2017NOR市占達30%，稱霸全球

　　旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。　　旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示，預期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。　　就短期來看，盧志遠表示，本季整體需求預估會比去年第四季緩和;雖
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3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破

　　由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經(jīng)濟狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復雜性?！　?nbsp; 　　上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應用。當下，一些強大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務關(guān)鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經(jīng)濟實惠的 SATA 平臺。　　利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想，最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。　　DRAM無新增產(chǎn)能　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]