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三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。　　IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
關鍵字：三星 NAND

東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務表現(xiàn)強勁

　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
關鍵字：東芝 NAND

美光3D NAND技術發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
關鍵字：美光 3D NAND

美光3D NAND技術發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
關鍵字：美光 NAND

IC Insights：全球半導體2017年上調市場預測提升至22％

　　據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。　　此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。　　2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
關鍵字： DRAM NAND

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
關鍵字： DRAM NAND 存儲器

東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn)：預估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
關鍵字：東芝 NAND

DRAM漲潮再起誰才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
關鍵字： DRAM NAND

基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合，從而達到器件性
關鍵字： NAND magnum

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
關鍵字： DRAM NAND RAM

Nand Flash編程應用難點淺析

　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。　　1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
關鍵字： Nand Flash 東芝

3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關鍵字： 3D NAND 摩爾定律

群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應求

　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應求。　　臺灣東芝先進半導體因集團組織調整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內(nèi)存株式會社當選。　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權移轉給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術，雙方關系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
關鍵字： NAND

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉為平衡

　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務器需求的帶動，加上供給面受到制程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
關鍵字： NAND 西數(shù)

NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
關鍵字：閃存 NAND 3D Xpoint 201710

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]