美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產品，這三種產品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。

　　該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術，可幫助智能手機制造商通過人工智能 (AI)、虛擬現實和面部識別等新一代移動功能來增強用戶體驗。AI 在旗艦級手機中的出現推動了對能更快速高效地訪問數據的更先進的存儲解決方案的需求。分析機構 Gartner 預測，到 2022 年，80% 的智能手機將具有 AI 功能，這會增加在本地處理和存儲更多數據的需求。

　　此外，由于智能手機已然成為攝影和多媒體共享的首選設備，存儲容量需求將繼續(xù)顯著增加，目前旗艦級手機的容量最高為 256GB，預計到 2021 年容量將增長到 1TB。全新美光 64 層 TLC 3D NAND 存儲解決方案利用針對移動設備進行了優(yōu)化的架構滿足了這些需求，在更小的空間內提供更多容量的同時，提供一致的高性能和低延遲。

　　“我們都希望智能手機提供大膽的新功能，而存儲對此起到了日益關鍵的作用?！泵拦饪萍家苿赢a品事業(yè)部市場副總裁 Gino Skulick 表示，“美光科技獨家提供移動 DRAM 和 3D NAND，并且我們的尖端設計將繼續(xù)實現最先進的智能手機所需要的性能。”

　　64 層 TLC 3D NAND：助力移動領域的未來發(fā)展

　　該移動 3D NAND 產品將更多的存儲單元集中到更小的芯片區(qū)域內，并利用美光陣列下的 CMOS (CuA) 設計，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機設計中的空間。

　　美光第二代 TLC 3D NAND 移動技術具有多項競爭優(yōu)勢，包括以下新功能：

　　美光針對移動設備進行了優(yōu)化的架構提供一致的高性能和低延遲，能夠增強用戶體驗，同時通過使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

　　全新美光 64 層 TLC 3D NAND 產品比上一代 TLC 3D NAND 快 50%。

　　美光 64 層 3D NAND 技術比上一代 TLC 3D NAND 的存儲密度高一倍，封裝尺卻未變。

　　UFS 2.1 G3-2L 接口規(guī)范為移動應用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶?nbsp;e.MMC 5.1 高出多達 200%，同時還提供同步讀寫功能。 這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數據或將 4K 視頻記錄到存儲時所需的數據訪問速度奠定了基礎。

　　該新產品基于 32GB 芯片，尺寸為 59.341mm2——是業(yè)界市場上最小的 32GB TLC 3D NAND 芯片。