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MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

　　以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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MOSFET的半橋驅(qū)動電路設(shè)計要領(lǐng)詳解

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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

　　電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！　∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！　∫弧⑹裁词前踩ぷ鲄^(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
關(guān)鍵字： MOSFET 可控硅調(diào)光 LED燈絲燈

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時的功率損耗。
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極屏蔽快捷半導(dǎo)體

為反向極性保護設(shè)計一個電路

為反向極性保護設(shè)計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統(tǒng)中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統(tǒng)設(shè)計人員也必須忍受反向極性保護出現(xiàn)時的功率損耗。
關(guān)鍵字：汽車電池反向極性保護二極管 MOSFET

有刷直流柵極驅(qū)動器的演變

有刷直流柵極驅(qū)動器的演變-回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發(fā)布的組件具有無與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快，發(fā)光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣?xùn)|西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動器集成電路

模塊電源的散熱應(yīng)對措施

模塊電源的散熱應(yīng)對措施- 本篇文章以實例為基準(zhǔn)，分析一個設(shè)計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管模塊電源

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
關(guān)鍵字： MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)超高速切換

　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
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采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路 mosfet 電路圖

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復(fù)進行卻使成本與設(shè)計空間密集化。
關(guān)鍵字：模擬電路 MOSFET

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]