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恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅(qū)動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。圖1：降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進行開關(guān)操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎(chǔ)半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
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羅姆SiC評估板測評：快充測試

  • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設(shè)備
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羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

  • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
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碳化硅MOSFET晶體管的特征

  • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
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非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計

  • 離線反激式電源在變壓器初級側(cè)需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設(shè)計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實現(xiàn)電壓鉗位，但在每個開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補驅(qū)動的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設(shè)計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術(shù)，即非互補有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴展新應用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級開關(guān)電源IC

  • 　　2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動汽車領(lǐng)域的ACDC應用上
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

  • 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機驅(qū)
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

  • 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設(shè)計理念是實現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設(shè)計提供參考。
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)級封裝  腔體  3D堆疊  鍵合  銅片夾扣  202112  MOSFET  

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應用

  • 本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實現(xiàn)二級保護的方案；論述了其實現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導致電池包不正常工作的問題。
  • 關(guān)鍵字： 電池充放電管理  雪崩  短路  漏電流  MOSFET  202112  

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

  • 電池供電電機控制方案為設(shè)計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現(xiàn)在，應用設(shè)計人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
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