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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng):快充測(cè)試

作者:胡世 時(shí)間:2022-03-19 來源:EEPW論壇 收藏

一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202203/432173.htm

1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板

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2、電壓源

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3、示波器

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4、負(fù)載儀

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二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行

1、安裝 SIC后的空載波形

安裝

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空載波形

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空板,空載GS 為100hz 25V 信號(hào)

2、DCDC 在線測(cè)試

1)空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)

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空載輸出12V,gs驅(qū)動(dòng)為200hz

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總寬度3.6uS的錐形信號(hào)

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2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc

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驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下:

帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)

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單脈沖寬度,3uS左右

總結(jié)

由于輕負(fù)載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備,進(jìn)行高壓大電流測(cè)試。



關(guān)鍵詞: SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

評(píng)論


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