碳化硅文章進入碳化硅技術社區(qū)

三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩(wěn)步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
關鍵字：安意法意法半導體碳化硅碳化硅晶圓

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
關鍵字：碳化硅 SiC 電力電子

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
關鍵字：電驅(qū) 碳化硅 SiC 新能源汽車 800V

第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性

簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
關鍵字： Wolfspeed 碳化硅高功率應用

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
關鍵字：英飛凌碳化硅 SiC 200mm碳化硅

深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術領域取得重要進展

據(jù)深圳平湖實驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
關鍵字：激光剝離碳化硅

第4代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性

簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
關鍵字：第4代碳化硅碳化硅 Wolfspeed

詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
關鍵字：碳化硅蝕刻工藝干法蝕刻

碳化硅大風，吹至半導體設備

2025年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來關鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后，碳化硅設備領域又傳動態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內(nèi)又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產(chǎn)品還成功贏得了國內(nèi)半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
關鍵字：碳化硅半導體設備

英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

英飛凌1992年開始碳化硅技術研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領碳化硅技術發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術方面的進展及其在工業(yè)與基礎設施領域的應用和
關鍵字：英飛凌碳化硅能源工業(yè)設備

30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
關鍵字：碳化硅零碳技術英飛凌

英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴

2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
關鍵字：英飛凌碳化硅

格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領域從自主研發(fā)、自主設計、自主制造到整個全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據(jù)報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設，2023年4月開始鋼結構吊裝，當年10月設備移入，12個月實現(xiàn)通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關鍵核心工藝國產(chǎn)化設備導入率超過70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自
關鍵字：格力碳化硅芯片工廠

博世將獲美芯片補貼擴產(chǎn)SiC半導體

據(jù)媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
關鍵字：博世碳化硅功率器件

雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)

●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
關鍵字：雷諾安培意法半導體碳化硅電動汽車電源電源控制系統(tǒng)

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]