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安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場,助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比,工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜,對電源的穩(wěn)定性要求更高,需滿足一些特殊要求,如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,同時,它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類,電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源,是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計,利用先進的工藝和封裝技術(shù)制造, 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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電動汽車市場催生碳化硅新前景

  • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度,更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率,并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場景,并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此,第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域,
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小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),爭做冬季續(xù)航之王

  • 12月29日消息,昨日,在小米汽車技術(shù)發(fā)布會上,小米集團董事長雷軍宣布,發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),全球最高體積效率達77.8%,采用小米800V碳化硅高壓平臺,最高電壓達871V,與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹,小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn),采用17層高壓絕緣防護,7.8m2同級最大冷卻面積,并使用165片氣凝膠隔熱。同時,采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù),最大程度保證乘員艙安全。同時,該項技術(shù)可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調(diào)升溫速度同級更快、充電速度同級更快”,雷軍表示,小米汽車立
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息,據(jù)報道,Adroit Market Research預(yù)計,全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長,到2032年將達到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示,半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長率高達11.9%。目前的市場表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下,到2028年,該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

  • 2023年12月22日,中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。隨著汽車行業(yè)電動化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入,高壓純電動車因其能效更高、續(xù)航里程更遠,已成為汽車制
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

  • 據(jù)通用智能官微消息,日前,通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前,SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割,效率低和損耗高。據(jù)悉,通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程,并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

  • 據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息,12月10日,“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上,以黑龍江省科學(xué)院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為,科友半導(dǎo)體圓滿完成了計劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù),成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝,建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程,制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書,一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解,8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目,由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān),旨在推動8英寸碳化硅裝備國
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器,其基本原理就是SPWM,硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路,橋式輸出至負載間串接低通濾波元件,控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源,一個是固定幅值的三角波(調(diào)制波)發(fā)生器,一個為正弦波發(fā)生器,利用三角波對正弦波進行調(diào)制,就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列,調(diào)制比不同,一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率)。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路,在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相,
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意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

  • 12月1日消息,近日,據(jù)外媒報道,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)將于意大利西西里島Catane投資50億歐元,新建一座碳化硅、超級半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片,為電動車關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長潛力。報道稱,此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是,今年6月,意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè),預(yù)計2025年第四季度投產(chǎn),預(yù)計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

  • 11月28日消息,據(jù)外媒報道,日前,英飛凌綠色工業(yè)動力部門(GIP)總裁Peter Wawer在受訪時透露,英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示,英飛凌目前使用6英寸晶圓,但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品,很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品,并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面,英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠(在2022年2月宣布的原始投資之上)獲得更多產(chǎn)能,信息稱,英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC(碳化硅)功率工廠。值得一提的是該計劃
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Omdia:人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增,電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響?功率分立器件、模塊和IC預(yù)測Omdia半導(dǎo)體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示:“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的開發(fā)始于上個世紀(jì),但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配,新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?!?018 年,特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅,從PI開始?

  • 在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升,但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同?Power Intergrations(PI)資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣,以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷,同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

  • 奈梅亨,2023年11月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系,共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用,以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。   制造商對下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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碳化硅介紹

碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?!ぐ溥d在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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