碳化硅文章進入碳化硅技術(shù)社區(qū)

英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經(jīng)驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題，作為功率半導體的領頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
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碳化硅功率器件的應用機會及未來

碳化硅功率器件的未來趨勢是朝著尺寸縮小的方向發(fā)展。
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賓夕法尼亞州立大學與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術(shù)的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學領導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包
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基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

4月24日，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專項支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
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電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進展

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時，積極與國產(chǎn)設備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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三次油電平價促成中國電動市場的大爆發(fā)

大家應該還記得，當遭受國補退坡重創(chuàng)的電動汽車于2019-2020年間慢慢恢復元氣，開始走出國補退坡的陰影時，市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動汽車，當時的電動車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu)：便宜的A00級車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級車和C級車）賣得很好，但在10-30萬的主流區(qū)間，電動車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級別電動化率走勢圖上一展無遺，歷時五年的時間，A00車已經(jīng)達到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風云變幻，正如歐
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特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進

被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動力平臺主要包括面向B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案，目標是不斷提升整車度電里程和升油里程
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特斯拉降低造車成本，國內(nèi)新能源車企如何實現(xiàn)“價格戰(zhàn)”突圍？

在國內(nèi)新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動總能攪動起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關(guān)概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今，特斯拉對碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn)，背后的真實意圖是什么？將會對國內(nèi)新能
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采埃孚、意法半導體簽下碳化硅模塊供應長約

據(jù)外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報道涉及供應數(shù)量達數(shù)百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商?！霸? 意法半導體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導體汽車和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

據(jù)外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規(guī)級SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
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碳化硅風頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進化半導體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車”

4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動車主驅(qū)的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”?！　∑嚱Y(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會　　有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半

IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當前約 364.11
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]