碳化硅 文章 進入碳化硅技術社區(qū)
意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購
- 近日， 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現金支付。
- 關鍵字： 意法半導體 碳化硅 Norstel AB
第三代半導體將催生萬億元市場
- 日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口?！ ?018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內第三代半導體產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
- 關鍵字： 半導體 碳化硅
中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展
- 最近，由深圳市科學技術協會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創(chuàng)新、產業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
- 關鍵字： 碳化硅 二極管 MOSFET
更高效的半導體材料——碳化硅
- 在功率電子學中，半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家，Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長，風能和太陽能等可持續(xù)能源供應變得越來越重要。然而，電力通常遠離消費者產生。因此，高效的配電和運輸系統(tǒng)與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節(jié)省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而，在硅上使
- 關鍵字： 碳化硅
安森美為20歲慶生，“高能效電子創(chuàng)新”顯示旺盛活力
- 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時，安森美只是一家年營業(yè)額12億美元的標準半導體供應商，2018年已達到年營收近60億美元，轉型成為領先的高能效創(chuàng)新的半導體方案供應商。過去的20年，是半導體技術飛躍發(fā)展的20年，也是并購重組頻繁的20年，很多中小公司在并購浪潮中淹沒了，而安森美卻逐漸壯大，形成了自己的特色和穩(wěn)定的市場。安森美的成功經驗是什么？如今的特色和對未來的觀察是什么？近日，安森美半導體戰(zhàn)略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創(chuàng)新
- 關鍵字： 汽車 傳感器 碳化硅 云電源
CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創(chuàng)新成果
- 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文，并介紹公司在該領域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應用方面，越來越多的人則
- 關鍵字： CISSOID 碳化硅 功率模塊 高溫柵極驅動器
碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]
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