功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。

SiC-MOSFET的特征

SiC-SBD的章節(jié)中也使用了類似的圖介紹了耐壓覆蓋范圍。本圖也同樣，通過與Si功率元器件的比較，來表示SiC-MOSFET的耐壓范圍。

目前SiC-MOSFET有用的范圍是耐壓600V以上、特別是1kV以上。關(guān)于優(yōu)勢，現(xiàn)將1kV以上的產(chǎn)品與當(dāng)前主流的Si-IGBT來比較一下看看。相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET（超級結(jié)MOSFET），導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。

下表是600V～2000V耐壓的功率元器件的特征匯總。

雷達(dá)圖的RonA為單位面積的導(dǎo)通電阻（表示傳導(dǎo)時損耗的參數(shù)），BV為元器件耐壓，Err為恢復(fù)損耗，Eoff為關(guān)斷開關(guān)的損耗。SiC已經(jīng)很完美，在目前情況的比較中絕非高估。