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基于變換采樣的超寬帶接收機(jī)設(shè)計

  • 基于變換采樣的超寬帶接收機(jī)設(shè)計, 在高精度UWB定位系統(tǒng)中，目標(biāo)信號是超短脈寬的脈沖，有很寬的帶寬，為了對這種寬帶信號進(jìn)行處理，我們要求如下兩個條件。1)設(shè)計應(yīng)該實現(xiàn)超高的采樣率。對于UWB定位系統(tǒng)，恢復(fù)較好的脈沖波形以獲得較高時間分辨率信息
  • 關(guān)鍵字： 變換采樣  FPGA  可編程延時芯片  ADC  UWB  接收機(jī)  

IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡化而設(shè)

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International R
  • 關(guān)鍵字： LED  驅(qū)動  IR  IC  

抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)

  • 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu)，對于同步開關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設(shè)計的這款新型EBG結(jié)構(gòu)，是在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外，通過3-D
  • 關(guān)鍵字： EBG  SSN  電源完整性   IR-Drop  201607  

IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。 　　   　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  IRL6297SD  

D類放大器市場突飛猛進(jìn) 廠商新品頻出

  • 　　D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設(shè)計者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設(shè)備以及移動設(shè)備的首選拓?fù)?，能夠幫助設(shè)計者實現(xiàn)高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。 　　現(xiàn)在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內(nèi)的整個放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價格極具競爭力的新產(chǎn)品推向市場，并且其音頻性能達(dá)到或者超過了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進(jìn)，年復(fù)合增長率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于應(yīng)用特殊型音頻器件。 　　D
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進(jìn)行焊接，從而
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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  • 　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  DirectFET  

IR智慧型功率模組簡化家電馬達(dá)驅(qū)動器設(shè)計

  • 　　國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡化空調(diào)、風(fēng)扇、壓縮機(jī)和洗衣機(jī)等家電馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用的設(shè)計。 　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)基準(zhǔn)并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級封裝智慧型功率模組的先進(jìn)技術(shù)，通過改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿足市場對更高效家電應(yīng)用馬達(dá)驅(qū)動器與日俱增的需求
  • 關(guān)鍵字： IR  驅(qū)動器設(shè)計  

一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線設(shè)計

  • 摘要 提出了一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線。通過在介質(zhì)基板上添加錐形輻射貼片，天線可以覆蓋超寬帶通信頻段。在輻射貼片上引入上、下兩個錐形縫隙結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)3.5 GHz、5.5 GHz的雙陷波特性。天線實測模型電壓駐波比<2的阻抗帶寬是2.56～10.61GHz，其中3.18～3.76 GHz和4.4～5.75 GHz具有陷波特性。測試表明，天線在工作頻帶內(nèi)具有全向輻射特性。 20世紀(jì)90年代，超寬帶技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于軍事領(lǐng)域。隨著短距離無線通信的發(fā)展，2002年美國聯(lián)邦通信委員會劃分3.1～1
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非交叉饋電的印刷對數(shù)周期天線的頻域特性

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 對數(shù)周期天線  印刷天線  非交叉饋電  UWB  

IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

  • 　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?！　∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
  • 關(guān)鍵字： IR  StrongIRFET  MOSFET  

IR全新D類音頻芯片組優(yōu)化音頻放大器性能

  • ???　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)推出全新D類音頻芯片組，內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動器IC，可提供受保護(hù)的脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?開關(guān)和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化?！　RS20965具有高側(cè)和低側(cè)獨立浮動脈沖寬度調(diào)制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進(jìn)行死區(qū)時間控制。新I
  • 關(guān)鍵字： IR  PWM  IRS20965  音頻  

IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國際整流器公司擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR?L6283M?20V?DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導(dǎo)通電阻?(RDS(on))?！　RL6283M采用超薄的30?mm2中罐式DirectFET封裝，導(dǎo)通電阻典型值只有500μΩ，可大幅降低傳導(dǎo)損耗，因而非常適合動態(tài)ORing和電子保險絲?(eFuse)?
  • 關(guān)鍵字： IR  StrongIRFET  IRL6283M  

IR CHiL為新一代運算平臺提供經(jīng)過優(yōu)化并配備電源管理總線的端對端方案

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?推出新一代電源管理總線?(PMBus)?驅(qū)動的多功能CHiL數(shù)字脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?控制器，和集成式PowIRstage解決方案，可在多種中端到高端服務(wù)器、桌面和運算應(yīng)用內(nèi)大幅提升效率、縮減電路板空間及減少部件數(shù)量?！　R全新的數(shù)字控制器符合Intel?VR12和VR12.5的規(guī)格
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持續(xù)監(jiān)測回轉(zhuǎn)窯的Raytek CS210過程成像系統(tǒng)新增3D視圖和耐火材料管理功能

  • 　　福祿克公司旗下Raytek?品牌，?紅外(IR)測溫技術(shù)的世界領(lǐng)先供應(yīng)商，已對其用于水泥窯的CS210過程成像系統(tǒng)的功能進(jìn)行了擴(kuò)展，增加了可選的可集成至系統(tǒng)軟件的3D視圖和耐火材料管理數(shù)據(jù)庫模塊。這種增強(qiáng)的窯體掃描系統(tǒng)通過持續(xù)監(jiān)測回轉(zhuǎn)窯來探測耐火材料損失、損壞和損耗導(dǎo)致的熱點，從而使得水泥制造商可以避免代價高昂的窯體損壞和意外停工。　　利用現(xiàn)已支持多達(dá)4臺掃描儀的CS210紅外線(IR)掃描解決方案，水泥廠經(jīng)營者可確定回轉(zhuǎn)窯耐熱材料的有效性，檢測失效的耐火磚，從而采取相應(yīng)的措施，防止更大的損
  • 關(guān)鍵字： 福祿克  IR  CS  
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