全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。

　　全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內提供兩個采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。

　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產品系列，提供行業(yè)標準封裝以及適合精密設計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本。”

　　所有新產品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標準 (MSL1) 及電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。

　　規(guī)格