Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標準IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設計用于電機控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應用，采用場溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內部溫度的傳感器以實現(xiàn)過熱保護。 快速NPT類IGBT的電流等級分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為：20A～75A/600V，25A
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模擬技術 電源技術 Microsemi IGBT 電源模塊 電源
摘 要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結構，給出。IPM的外圍驅動電路、保護電路和緩沖電路的設計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應用。關鍵詞：IPM：電路設計；PM200DSA060；逆變器
1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM
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模擬技術 電源技術 IPM 電路設計 PM200DSA060 模擬IC 電源
引言自MOSFET及IGBT問世以來，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經歷一個飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時，與之配套的驅動器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應用領域越來越廣，電源設備變換功率越來越大，電磁T擾也相應增強。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅動耐壓等級。于是，光纖的使用也就成為了必然。
1 ICBT驅動的幾種方式不同功率等級的IGBT，對驅動的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅動方式的比較。
由表l可知，在大功率
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IGBT 大功率 光纖 通訊 網絡 無線
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IGBT MOSFET 汽車
1 引言
智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。
2 IPM的結構
IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅動器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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IPM MOSFET 電源技術 模擬技術 模塊
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論，介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用
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電路 應用 研究 保護 驅動 高壓 大功率 IGBT
IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開關器件，電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強、耐壓高方面的優(yōu)點，因此在現(xiàn)實電力電子裝置中得到了廣泛的應用。
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IGBT 電磁振蕩
在工件淬火和焊接等工藝中，由于各種原因會造成電源負載端突然短路。為了減小負載短路時產生的浪涌電流對功率管的沖擊，采用降柵壓慢關斷技術，增強功率器件的瞬時過流能力，同時選擇合適的Cd和／LT的值，可以在一定程度上減小浪涌電流的大小，從而更好地保護功率管和主電路。
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負載 短路 保護 電源 加熱 高頻 感應 IGBT
摘要： 目前隨著設計開發(fā)進程的加快，一些家電（高效洗衣機、冰箱、空調和其他家用電器）要求用更先進的設計方法來設計和實現(xiàn)。文中詳細地介紹了其中的智能型電源部分，以進一步加速電機驅動器的開發(fā)，從而減少產品的開發(fā)成本和時間。在文章的最后，給出了相關產品的演示板。 關鍵詞：智能型電源；電機驅動器；高壓驅動器；IGBT電器工程師需要一種設計方法，能夠簡化高效洗衣機、冰箱、空調和其他家用電器的三相變速電機驅動器的開發(fā)過程。變速電機驅動器采用電子線路來改變電機的轉速，而不是舊式電器中所使用的較低可靠性機械變速法。而且，
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智能型電源 高壓驅動器 電機驅動器 IGBT 模塊
目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動器便最為理想了。這樣的器件已經開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結果。
為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
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IGBT 其他IC 制程
2005年5月12日，瑞薩推出用于手機相機的CY25CAH-8F(2.5V驅動)和CY25CAJ-8F(4.0V驅動)的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米，厚度(最大)0.95毫米，堪稱業(yè)界最小。
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瑞薩 IGBT Renesas
摘 要：本文主要介紹一個由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應用，解決了原有芯片死區(qū)時間不確定的問題。關鍵詞：延遲電路；IPM；死區(qū)時間
變頻控制死區(qū)時間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導通時序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現(xiàn)同時導通的情況，如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個IGBT不能同時導通，如果同時導通，輕則引起IPM的工作保護，造成停機，重則將IPM模塊擊
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IPM 死區(qū)時間 延遲電路
摘 要：本文針對IGBT對驅動電路的要求，提出并分析了一種廉價的、適用于三電平逆變器的IGBT驅動和保護電路，并給出了設計時需要注意的問題。關鍵詞：三電平逆變器； IGBT； 驅動保護
引言由于三電平電壓型逆變器對主元件的耐壓要求可降低一半，而且輸出波形好，因而一出現(xiàn)就顯示了巨大的優(yōu)越性。本設計方案中三電平電壓型逆變器由12個IGBT單元和鉗位二極管等組成中性點鉗位電路。有三個電平(+E、0和-E)輸出，在直流中間環(huán)節(jié)電容分壓對稱時，就有27種不同的輸出狀態(tài)。由于主電
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IGBT 驅動保護 三電平逆變器
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