在全球的綠色能源發(fā)展趨勢下，越來越多的家用電器、照明設備、電動工具、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及其它工業(yè)設備開始采用太陽能供電，將太陽能量轉換為所需的交流(AC)或直流(DC)電壓?！ 楦咝实禺a生這些設備所需
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太陽能 逆變器 設計 500W 開關 IGBT 作為 功率 采用
過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟
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三相 感應 馬達 IM 驅動 IPM 智能 功率 模塊 利用
1 前言 用于控制、調節(jié)和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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IGBT 柵極電阻 開關特性 分析
據悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產品的價格與質量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業(yè)的關注從來沒有放松過。2010年，他們發(fā)現國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010年3月19日，國家發(fā)改委辦公廳發(fā)布《關于組織實施2010年新型電力電子器件產業(yè)化專項的通知》，明確指出將組織實施新型電力電子器件產業(yè)化專項，以大力推進新型電力電子器件產業(yè)發(fā)展，努力掌握自主知識產權的芯片和器件的設計
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高壓變頻器 IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統(tǒng)
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IR IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統(tǒng)
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IR IGBT
士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內組建多芯片高壓功率模塊制造生產線，計劃從2010年起在未來的2--3年內安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。
士蘭微7月29日發(fā)布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關于控股子公司組建功率模塊生產線項目的議案》。
多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優(yōu)點，而越來越受到市場的關注，應用的領域也越來越廣。目前采用芯片設計與制造一體化運行的士蘭微電子，通過芯片設計、器件結構開發(fā)、工藝開發(fā)等
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士蘭微 IGBT 芯片設計
Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應用電路以及EconoDUAL?3模塊驅動板主要特性,評估板電路,以及IGBT各種驅動電路和驅動板材料清單(BOM).
The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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Infineon EconoDUAL3 汽車驅動 IGBT
【 導讀：在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領域還相對落后，盡管國內也有一些企業(yè)和科研機構在進行研發(fā)，但產業(yè)化進程緩慢，技術上也落后于國外。】
今年6月，功率半導體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產業(yè)的未來發(fā)展
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功率半導體 IGBT
·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。
·三菱電機在功率半導體領域的一個很大的優(yōu)勢就是貼近系統(tǒng)用戶。
日本從上世紀80年代開始使用工業(yè)用的變頻器，還有家庭用的變頻空調，在市場上變頻技術得到了很快的發(fā)展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來出現了用在變頻器上的IGBT。通過使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時，經過25年的發(fā)展，出現了各種各樣的研究開發(fā)成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經發(fā)展到第6代?？梢耘e一個直觀的例子來說明IGBT的發(fā)展水平：如果
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IGBT 變頻器
摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現象進行了討論，提出了一種新的集中式過流保護電路的設計方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時被關斷，從而安全穩(wěn)定地運行。試驗結果表明：新的集中式過流保
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保護 電路設計 集中式 IGBT 矩陣 變換器 基于
功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半導體
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
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IGBT 軟開關 損耗
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