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igbt-ipm 文章 進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)
英飛凌推出最新EconoPACK? + D家族
- 在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上,英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導(dǎo)體模塊。以業(yè)界享有盛譽(yù)的EconoPACK?+平臺(tái)為藍(lán)本,英飛凌開(kāi)發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列,以滿(mǎn)足諸如可再生能源系統(tǒng)、商用電動(dòng)車(chē)輛、電梯、工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置或電源等應(yīng)用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT
高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要:文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,并通過(guò)理論分析和仿真波形說(shuō)明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 仿真 電路 驅(qū)動(dòng) 條件 IGBT 高頻
基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求,設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ,射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 可靠性 IGBT 基于
華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
- 華潤(rùn)微電子有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”)宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)微電子 IGBT
華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功
- 華潤(rùn)微電子有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”)宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。 華潤(rùn)上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ,以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠(chǎng)相當(dāng),該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的
- 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)微電子 IGBT
基于數(shù)字信號(hào)處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)

- 摘要:隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長(zhǎng)期工作的可靠性。同時(shí),低壓供電數(shù)字信號(hào)
- 關(guān)鍵字: 可靠性 分析 設(shè)計(jì) 電路 驅(qū)動(dòng) 數(shù)字 信號(hào)處理器 IGBT 基于
IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算
- 中心議題:?柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性?如何測(cè)量和確定柵極電荷?驅(qū)動(dòng)器輸出功率和柵...
- 關(guān)鍵字: IGBT
科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)
- 科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。 科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開(kāi)工建設(shè),從投資建設(shè)到正式投產(chǎn),僅用了6個(gè)月的時(shí)間,創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國(guó)際最新型設(shè)備150余臺(tái)套,主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測(cè)試,年可生產(chǎn)各類(lèi)器件3.1億只,年產(chǎn)值3億元以上。封裝測(cè)試項(xiàng)目的成功投產(chǎn),將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競(jìng)爭(zhēng)能力。
- 關(guān)鍵字: 科達(dá)半導(dǎo)體 IGBT
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