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英飛凌推出最新EconoPACK? + D家族

　　在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導(dǎo)體模塊。以業(yè)界享有盛譽(yù)的EconoPACK?+平臺(tái)為藍(lán)本，英飛凌開(kāi)發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列，以滿(mǎn)足諸如可再生能源系統(tǒng)、商用電動(dòng)車(chē)輛、電梯、工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置或電源等應(yīng)用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)

介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IXDN404的特點(diǎn)及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動(dòng)的實(shí)際要求，設(shè)計(jì)出了一種具有過(guò)流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡(jiǎn)單有效的驅(qū)動(dòng)電路，給出了實(shí)際電路圖和驅(qū)動(dòng)波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
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中國(guó)未來(lái)幾年IGBT市場(chǎng)火爆

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷(xiāo)售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。　　
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高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真

摘要：文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，并通過(guò)理論分析和仿真波形說(shuō)明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
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中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨分析

　　2008年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，全球的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)受到重創(chuàng)。歐洲作為光伏最大的市場(chǎng)，受到的影響最為顯著。不少歐洲國(guó)家縮減了光伏電站的開(kāi)支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計(jì)劃。中國(guó)作為世界上最大的太陽(yáng)能電池產(chǎn)地，對(duì)出口有較強(qiáng)的依賴(lài)性，以消化產(chǎn)能。　　
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英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能

　　英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。　　
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基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　華潤(rùn)上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠(chǎng)相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的
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基于數(shù)字信號(hào)處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)

摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長(zhǎng)期工作的可靠性。同時(shí)，低壓供電數(shù)字信號(hào)
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IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策

實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管”!　　為了研究“炸管“!　　首先
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IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算

中心議題：?柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性?如何測(cè)量和確定柵極電荷?驅(qū)動(dòng)器輸出功率和柵...
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科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)

　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開(kāi)工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個(gè)月的時(shí)間，創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國(guó)際最新型設(shè)備150余臺(tái)套，主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測(cè)試，年可生產(chǎn)各類(lèi)器件3.1億只，年產(chǎn)值3億元以上。封裝測(cè)試項(xiàng)目的成功投產(chǎn)，將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競(jìng)爭(zhēng)能力。
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高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái)，具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、
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感應(yīng)加熱用IGBT超音頻電源

1引言感應(yīng)加熱是將工件直接加熱，它具有效率高，作業(yè)條件好，溫度容易控制，金屬燒損小，無(wú)需預(yù)熱等優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱設(shè)備應(yīng)用的電力電子器件是電子管和快速晶閘管。電子管電壓高，穩(wěn)定性差，幅射強(qiáng)，效率低，已經(jīng)
關(guān)鍵字：電源音頻 IGBT 加熱感應(yīng)