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GaN技術和潛在的EMI影響

  • 　　1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
  • 關鍵字： GaN  EMI  

詳解LED PWM調(diào)光技術及設計注意點

  • 　　無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅動，連接每一個驅動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應用只需要開和關的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅動電流從0到目標電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉換器。 　　PWM調(diào)光能調(diào)配準確色光
  • 關鍵字： PWM  FET  

英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。 　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結合公司了所
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
  • 關鍵字： 英飛凌  松下  GaN  

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

  • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 　　TI高壓電源
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 　　作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術

  • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
  • 關鍵字： 英飛凌  松下  GaN  

GaN在射頻功率領域會所向披靡嗎？

  • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
  • 關鍵字： GaN  射頻  

基于場效應管的功率放大器設計

  • 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
  • 關鍵字： FET  場效應管  功率放大器  

用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法

  • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
  • 關鍵字： P-FET  MOSFET  

新電源模塊如何解決關鍵設計問題

  • 新型靈活應用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現(xiàn)收入的壓力迫使設計人員縮短開發(fā)周期，從而對全功能、快速實現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統(tǒng)設計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
  • 關鍵字： 新電源  FET  ISL8225  

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開關

  • 　　2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開關每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術來實現(xiàn)低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?！　LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關鍵字： Silego  FET  SLG59M1527V  

導入Cascode結構　GaN FET打造高效率開關

  • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
  • 關鍵字： Cascode  GaN  場效應管  

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

  • GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
  • 關鍵字： GaN.功率元件  

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
  • 關鍵字： SiC  GaN  
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