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CES2016預測丨智能可穿戴如何突破手表手環(huán)圍城
- 2015年已經(jīng)過去，這一年可穿戴設備的種類層出不窮，但最終穿戴在我們身上的電子設備卻并不多，最多的就要算就是手環(huán)和手表了?！ ≈饕窍M者也不將可穿戴產(chǎn)品作為“剛需”電子產(chǎn)品，不過相信2016年憑借更靈敏的傳感器、低功耗芯片，以及節(jié)能的無線技術(shù)等等，就能解決了產(chǎn)品被吐槽已久的“詬病”，改變續(xù)航、交互方式甚至是大大降低成本?！ ?nbsp; 除此之外，監(jiān)控血糖水平、可以測肺活量和皮膚溫度，甚至分析人體體內(nèi)化學成分的傳感器設備也將會在2016年CES上亮相，這些也將會為可穿戴設備賦予更多
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美CES科技大秀 聯(lián)發(fā)科3晶片亮相
- 2016年1月5日消息，美國消費性電子大展CES即將于6日開展，聯(lián)發(fā)科(2454)今年將以主題“全新消費者體驗從聯(lián)發(fā)科技開始”在2016 CES展出，并發(fā)表三款新晶片，採用這些晶片的消費性電子產(chǎn)品將與周圍世界有更好的連結(jié)。這三款晶片分別是：4K超高解析藍光播放器晶片、智慧型手表晶片、以及家庭物聯(lián)網(wǎng)晶片。 在家庭娛樂方面，推出 MT8581是全球首款支援高動態(tài)范圍成像的4K超高解析度藍光播放器專用SoC，其所帶來的視覺體驗堪比從VHS錄像機到DVD播放機的革命性飛躍。
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國內(nèi)外巨頭眾星捧月 智能家居將成CES重頭戲
- 近期CES在科技圈熱鬧起來了，2016年1月6日至1月9日，一年一度的國際消費類電子產(chǎn)品展覽會CES(Consumer Electronics Show)將在美國賭城拉斯維加斯舉行，即將參展的企業(yè)紛紛熱身，CES2016這場全球最大規(guī)模的高科技年度盛事，勢必會成為2016年國內(nèi)智能硬件行業(yè)潮流的一個風向標。展會將匯集來自全球一百多個國家和地區(qū)的數(shù)千家優(yōu)秀消費類電子廠商、IT核心廠商和物聯(lián)網(wǎng)設備提供商，涵蓋數(shù)碼電子、穿戴式設備、計算機設備、3D打印、汽車電子、家用電器、智能家居等相關(guān)領(lǐng)域。在2015年C
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CES 2016提前看，3D圖像傳感器有啥亮點
- 在下個月2016年的消費電子CES展，英飛凌和pmdtechnologies有限公司將展示REAL3，3D圖像傳感器芯片。 相比之前的版本，光靈敏度，功耗得到相應的提高。節(jié)省空間的設備，這使手機操作微型攝像系統(tǒng)，可以測量3D深度數(shù)據(jù)。 相機的范圍和測量精度取決于所發(fā)射的和反射的IR光的強度，并且所述三維圖象傳感器芯片的像素靈敏度。后者是先前版本的兩倍，如將一個微透鏡的每個所述傳感器芯片的像素中的一個結(jié)果。因此，大部分的入射光被引導到像素的敏感表面上，所以幾乎沒有光能量損失到非活動區(qū)域。這意
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CES 2016前瞻！TI六大亮點展品推動消費電子創(chuàng)新
- 備受矚目的2016年國際消費電子展?(CES)?已經(jīng)正式進入倒計時階段。作為全球領(lǐng)先的半導體公司之一，TI將在本次的展會中展示超過100項的創(chuàng)新技術(shù)。無論是先進的高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)還是適用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和可穿戴技術(shù)的創(chuàng)意解決方案，TI所提供的半導體技術(shù)賦予了消費電子產(chǎn)品全新的工程設計創(chuàng)造力?！ τ谀切┘磳⑶巴咕S加斯參展的與會者而言，他們將可以在TI?Village體驗創(chuàng)新技術(shù)所帶來的突破與變革。而為了讓更多的朋友能夠一覽TI?Village
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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